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GaAsのウエファー

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中国 N - ガリウム砒素のウエファーGaAsに単結晶の基質を2 - 6インチ タイプして下さい 販売のため

N - ガリウム砒素のウエファーGaAsに単結晶の基質を2 - 6インチ タイプして下さい

価格: by case
MOQ: 5pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:インジウムのヒ化物のウエファー, laalo3基質
3inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー （要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です） -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAsの）ガリウム砒素のウエファー 私達は化合物半導体の基質を開発し、製造します 工場は高度の結晶成長... もっと見る
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中国 6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度 販売のため

6inch VGF方法NタイプGaAsの基質675um SSPのウエファーを離れた2度

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:VGF方法ガリウム砒素の基質, NのタイプGaAsの基質, 2度GaAs Epiのウエファー
675um SSP DSP GaAsのウエファーを離れた2inch 3inch 4inch 6inch VGF方法Nタイプのun-doped GaAs基質2degree------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ GaAsのウエファー（ガリウム砒素）はずっと半導体工業で展開しているケイ素へ有利な代わりである。このGaAsのウエファーによって提供されるより少ないパワー消費量およびより多くの... もっと見る
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中国 4インチのガリウム砒素のウエファー、低温合金のためのGaasの基質 販売のため

4インチのガリウム砒素のウエファー、低温合金のためのGaasの基質

価格: by case
MOQ: 5pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:インジウムのヒ化物のウエファー, laalo3基質
4inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー （要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です） -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAsの水晶について 製品名: ガリウム砒素の(GaAs)の水晶の基質 技術的な変数: ... もっと見る
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中国 3inch 76.2mm NタイプSはマイクロエレクトロニクスのためのガリウム砒素のウエファーを添加した 販売のため

3inch 76.2mm NタイプSはマイクロエレクトロニクスのためのガリウム砒素のウエファーを添加した

価格: by case
MOQ: 5pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:マイクロエレクトロニクスのガリウム砒素のウエファー, 76.2mmgalliumヒ化物のウエファー, マイクロエレクトロニクスgaasのウエファー
VFGのmetod Nタイプ3inch、4inchのマイクロエレクトロニクスのための6inch dia150mm GaAsのガリウム砒素のウエファーのSemi-insulatingタイプ、 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAsの）ガリウム砒素のウエファー ガリウム砒素（GaAs）は要素ガリウムおよびヒ素の混合物である。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandga... もっと見る
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中国 3inch VGF GaAsのウエファーの研究テスト等級NのタイプGaAsの基質 販売のため

3inch VGF GaAsのウエファーの研究テスト等級NのタイプGaAsの基質

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:研究テスト等級のガリウム砒素のウエファー, Nのタイプ ガリウム砒素の基質, 3インチGaAs Epiのウエファー
3inch VGF GaAsのウエファーはテスト等級NタイプGaAsの基質425umを研究する 675um SSP DSP GaAsのウエファーを離れた2inch 3inch 4inch 6inch VGF方法Nタイプのun-doped GaAs基質2degree ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ GaAsのウエファー（ガリウム砒素）はずっと半導体工業で展開しているケイ... もっと見る
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中国 二重側面はSemicondutorのウエファー1sp 2sp 10X10mm GGGの水晶基質の破片を磨きました 販売のため

二重側面はSemicondutorのウエファー1sp 2sp 10X10mm GGGの水晶基質の破片を磨きました

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:gaasのウエファー, インジウムのヒ化物のウエファー
GGGの基質、10X10mmの小さい正方形の酸化亜鉛のウエファー、異なったオリエンテーションの5x5mm GGGの基質、ガドリニウム ガリウム ガーネットGGG Gd3Ga5012水晶の基質 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- ガドリニウム ガリウム ガーネット（GGG、Gd3Ga5O12）は磁気光学およびマイクロウェーブ基質です。 それは非常に重要の赤外線光学アイソレーターのための最もよい基質材料（1.... もっと見る
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中国 10X10mmのSrtio3基質の光学ガラスの窓のための小さい正方形のストロンチウムのチタン酸塩 販売のため

10X10mmのSrtio3基質の光学ガラスの窓のための小さい正方形のストロンチウムのチタン酸塩

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:gaasのウエファー, インジウムのヒ化物のウエファー
SrTiO3基質、10X10mmの小さい正方形のストロンチウムのチタン酸塩SrTiO3基質、10x10 SrTiO3のウエファー-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 概要の特性 ストロンチウムのチタン酸塩(SrTiO3)は最も広く利用された高温超伝導の1つです単結晶の基質。それはYBaCuO7および他の結晶格子とよく一致します高温超伝導材料、対の構造無しで、よい物理的機械特性。いろいろ膜の技術の使用によって... もっと見る
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中国 マイクロエレクトロニクスのためのVGF方法GaasウエファーDia 150mmの半絶縁のタイプ 販売のため

マイクロエレクトロニクスのためのVGF方法GaasウエファーDia 150mmの半絶縁のタイプ

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:インジウムのヒ化物のウエファー, laalo3基質
VFGのmetod Nタイプ3inch、4inchのマイクロエレクトロニクスのためのタイプを半絶縁する6inch dia150mm GaAsのガリウム砒素のウエファー -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAsの）ガリウム砒素のウエファー ガリウム砒素(GaAs)は要素ガリウムおよびヒ素の混合物です。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です。 ガリ... もっと見る
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中国 Znoの基質、ガリウム砒素のウエファーの酸化亜鉛の水晶の基質 販売のため

Znoの基質、ガリウム砒素のウエファーの酸化亜鉛の水晶の基質

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:gaasのウエファー, laalo3基質
ZnOの基質、10X10mmの小さい正方形の酸化亜鉛のウエファー、異なったオリエンテーションの5x5mm ZnOの基質、ZnOの単結晶 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 酸化亜鉛（ZnO）は非常に興味深い特性が付いている単結晶の半導体として育てることができます。 bandgapはそれを青およびすみれ色の適用の多数のために魅力的にさせる3.4のeVの範囲にあります 光電子工学、また紫外線装置。それは2イ... もっと見る
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中国 GGGの基質、ガドリニウム ガリウム ガーネットGGG Gd3Ga5012水晶の基質 販売のため

GGGの基質、ガドリニウム ガリウム ガーネットGGG Gd3Ga5012水晶の基質

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:gaasのウエファー, laalo3基質
GGGの基質、10X10mmの小さい正方形の酸化亜鉛のウエファー、異なったオリエンテーションの5x5mm GGGの基質、ガドリニウム ガリウム ガーネットGGG Gd3Ga5012水晶の基質 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- ガドリニウム ガリウム ガーネット（GGG、Gd3Ga5O12）は磁気光学およびマイクロウェーブ基質です。 それは非常に重要の赤外線光学アイソレーターのための最もよい基質材料（1.... もっと見る
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中国 Laalo3基質、ガリウム砒素のウエファーのランタンのアルミン酸塩水晶の基質 販売のため

Laalo3基質、ガリウム砒素のウエファーのランタンのアルミン酸塩水晶の基質

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:gaasのウエファー, インジウムのヒ化物のウエファー
LaAlO3基質、10X10mmの小さい正方形のランタンのアルミン酸塩LaAlO3crystal基質の単結晶 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 適用: LaAlO3単結晶は高温超伝導の薄膜の最も重要な単結晶材料です。方法の引きの成長は2インチ（直径）およびより大きい単結晶および基質得ることができるCZ方法、それ持っていますYBaCuOのような高温超伝導材料をであり格子マッチ高温超伝導のマイクロウェ... もっと見る
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中国 500um厚さのインジウムのヒ化物のウエファーのInAsの水晶ウエファー2インチ（直径） 50.8mm 販売のため

500um厚さのインジウムのヒ化物のウエファーのInAsの水晶ウエファー2インチ（直径） 50.8mm

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:gaasのウエファー, インジウムのヒ化物のウエファー
2inch直径50.8mmの500um厚さのInAsの基質、インジウムのヒ化物のInAsの水晶ウエファー、Nタイプ3inch 0.6mm InAsのウエファー、10x10mm正方形のInAsのウエファー ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ InAsの単結晶の基質は2つの作成のような育てられたInAsSb/内部のAsPSb InNAsSbのヘテロ構造材料、のどれである場合も... もっと見る
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中国 Dia 50.8mm半導体の基質のための2インチのガリウム砒素のウエファー 販売のため

Dia 50.8mm半導体の基質のための2インチのガリウム砒素のウエファー

価格: by case
MOQ: 5pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:gaasのウエファー, インジウムのヒ化物のウエファー
2inch GaAsの基質、ガリウム砒素の水晶ウエファー導かれるのためのGaAsのウエファー、Si/Znの添加物GaAsのウエファー（要素ガリウムおよびヒ素のAの混合物。それは亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造が付いているIII-Vの直接bandgapの半導体です） -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 適用: 1. 電子工学で主に、低温合金使用されて、ガリウム砒素。 2. 電子工学のガリウムの第一... もっと見る
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中国 GaAsレーザーエピタキシアルウェーバー ガリウムアルセニードウェーバー VCSEL/PD エピタキシアルウェーバー インテリジェントセンシング 販売のため

GaAsレーザーエピタキシアルウェーバー ガリウムアルセニードウェーバー VCSEL/PD エピタキシアルウェーバー インテリジェントセンシング

価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: Negotiable
ブランド: ZMSH
ハイライト:GaAs レーザー エピタキシアル・ウェーバー, インテリジェント センサー エピタキシャル ウェッファー, VCSEL/PD エクスピタキシャル・ウェーファー
2インチガリウムアルセニード・ウェーバー LDレーザーダイオードのためのGaAsエピタキシアル・ウェーバー,半導体エピタキシアル・ウェーバー, 3インチGaAsウェーバー, GaAsシングルクリスタルウェーバー 2インチ3インチ4インチGaAs基板半導体ウエファーガリウムアルセニードレーザー エピタキシアル・ウェーバー GaAs レーザー エピタキシアル ウェーバーの特徴 - GaAsウエフルの製造に使用する - デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします レーザーで使われています レーザーで使われています - 0.7μmから0.9μmの波長範囲... もっと見る
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中国 2

2 " S 付加されたGAP半導体EPIウェーファー N型P型 250um 300um型 光発光二極管

価格: Negotiation
MOQ: 25pcs
納期: In 30 days
ブランド: ZMSH
ハイライト:S ドーピングされたEPIワッフル, 半導体ウエフラー 300um, GaP半導体EPIウエファー
2 S ドープされたGAP半導体EPIウェーファーN型P型250um300um型光発光二極管 記述: ガリウムリン酸 (GaP) は,III-V組の化合物である.外見はオレンジ色の赤透明結晶である.ガリウムリン酸は,安価な赤色,緑色とオレンジ色,低~中等明るさの光電極高電流では寿命が短く,温度にも敏感です.ガリウムリン酸 (GaP) は,間接エネルギーギャップが2の無機化合物であり,半導体材料である..26eV (300K).そのポリ結晶材料は淡いオレンジ色である.ガリウムリン酸は臭いがなく,水中に溶けない.N型半導体になるには,硫黄またはテルリウムがドーピングされなければならな... もっと見る
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中国 透明オレンジ型無ドップガップウエファー P型 N型 200um 350um 5G型 発光 販売のため

透明オレンジ型無ドップガップウエファー P型 N型 200um 350um 5G型 発光

価格: Negotiation
MOQ: 25pcs
納期: In 30 days
ブランド: ZMSH
ハイライト:N型ガップウエフラー, 塩基配合剤が使用されていないGAPワッフル, 透明なガリウム・フォスフィード・ワッフル
透明オレンジ型無ドップガップウエファー P型 N型 200um 350um 5G型 発光 記述: ガリウム・リン酸ガップは,他のIII-V化合物材料と同様にユニークな電気特性を持つ重要な半導体で,熱力学的に安定した立方型ZB構造で結晶します.2 の間接帯の隙間を持つオレンジ黄色半透明結晶材料です.26 eV (300K) で,高純度6N 7Nのガリウムとリンパから合成され,液体封筒化チョクラルスキー (LEC) 技術で単結化される.ガリウム・フォスフィード結晶は,n型半導体を得るために硫黄またはテルリウムをドーピングする,および亜鉛をp型伝導性としてドーピングし,その後,望ましいウエファー... もっと見る
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中国 GaP 半絶縁ウエファー P タイプ N タイプ 400um 500um 緑色 LED 赤緑色 光の放出 販売のため

GaP 半絶縁ウエファー P タイプ N タイプ 400um 500um 緑色 LED 赤緑色 光の放出

価格: Negotiation
MOQ: 25pcs
納期: In 30 days
ブランド: ZMSH
ハイライト:2"のガップウエフラー, 半絶縁型GAPウエーファー, P型ガリウム・フォスフィード・ウェーファー
GaP 半絶縁ウエファー P タイプ N タイプ 400um 500um 緑色 LED 赤緑色 光の放出 記述: ガリウムホスフィドは,一般的に使用される半導体材料であり,高伝導性と高光電変換効率の特徴を有する.ガリウム・フォスフィードは太陽電池の製造に使用できるガリウム・フォスフィド (GaP) は,緑色発光二極管の活性材料として長い間使用されてきた重要な光子材料です.GaPは間接的なバンドギャップである (2.26 eV) 高い屈折率 (n>3) と第三順位の非線形,波長450nmから11μmの範囲で透明性のある半導体.中心対称性のない結晶で,二次列の非線形,非ゼロのピエゾ電系数... もっと見る
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中国 2inch単結晶のガリウム砒素の基質の半導体Nのタイプ 販売のため

2inch単結晶のガリウム砒素の基質の半導体Nのタイプ

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:2inch GaAsの基質, 単結晶のガリウム砒素の基質, 半導体NのタイプGaAsのウエファー
2inch GaAsの基質の単結晶のガリウム砒素の基質半導体Nのタイプ ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ GaAsのウエファー ガリウム砒素（GaAs）は優秀な半導体材料である。それに大きい直接バンド ギャップが、高い電子移動度、高周波低雑音および高い変換効率）および他の顕著な利点がある。 GaAsの基質はレーザー（LD）、赤外線レーザー、よの量強力なレーザーおよび高... もっと見る
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中国 6Inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質 販売のため

6Inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:Pのタイプ ガリウム砒素のウエファー, 6inch GaAsのウエファー, 半導体GaAsのウエファー
6inch VGFの成長方法PタイプGaAsのウエファーGaAsの基質 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ GaAsのウエファー GaAsのウエファーGaAsの基質のウエファーGaASの基質のウエファーGaASは高周波、高い電子移動、高い電子性能、低い唾液音および線形長所の優秀な特性が付いている半導体材料である。それは光電子工学およびマイクロエレクトロニクス工業で広く利... もっと見る
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中国 10x10mmガリウム酸化物の基質の単斜の構造 販売のため

10x10mmガリウム酸化物の基質の単斜の構造

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmsh
ハイライト:PのタイプGaAsのウエファー, NのタイプGaAsのウエファー, ガリウム砒素のウエファー2inch
10x10mmガリウム酸化物の基質の単斜の構造 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 定常ガリウム酸化物の水晶に2つの開裂の平面（100）が付いているmonoclinalの構造がおよびある（001）。成長プロセスに関する限りでは、（100つの）結晶段階ガリウム酸化物の水晶の成長プロセスは（001の）水晶の成長プロセスは非常に高くプロセス制御を要求するがより育ち易い。同じ処理条... もっと見る
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