
4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチプライムグレード ダミーグレード
価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 2-4 weeks
ブランド: ZMSH
ハイライト:350um SiC基板, 100mm SiC基板, 4インチシリウム基板
4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチプライムグレード ダミーグレード
製品説明
4H-N シリコンカービッド SiC基板 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチプライムグレード ダミーグレード
シリコンカーバイド (SiC) は,通常シリコンカーバイドと呼ばれ,シリコンと炭素を組み合わせて形成される化合物である.シリコンカーバイドの種結晶は重要な形態である.半導体材料に広く使用されているシリコンカービッドは硬さとしてはダイヤモンドに次いでおり,優れた磨材と切削ツールとなっています.良い熱伝導性により,LEDや電源電子などの高温... もっと見る
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4H-N 4インチの窒化珪素SiCの基質の高い発電装置のための模造の等級SiCの基質
価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 10-30days
ブランド: ZMSH
ハイライト:模造の等級SiCの基質, 4インチSiCの基質, 4H-N窒化珪素の基質
4H-N 4H-SEMI 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ SiC 基板 高性能機器用の製造グレードの偽品
H 高純度シリコンカービッド基板 高純度4インチSiC基板 半導体用4インチシリコンカービッド基板宝石のためのシークリンゴ
応用分野
1 高周波および高電力電子機器 スコットキーダイオード,JFET,BJT,PiN,ダイオード,IGBT,MOSFET
2 光電子装置: 主にGaN/SiCブルーLED基板材料 (GaN/SiC) のLEDで使用
優位性
• 格子 の 不一致 が 低い• 高熱伝導性• 低電力消費• 絶好の短時間特性• 高帯域間隔
シリコン・カービッ... もっと見る
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2-4inch HVPE GaNのウエファーによってカスタマイズされるサイズの支えがないGaNの単結晶材料
価格: by case
MOQ: 1pc
納期: 2-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:gan基質, gan型板
2 インチ GaN 基板テンプレート、LED 用 GaN ウェーハ、ld 用半導体窒化ガリウム ウェーハ、GaN テンプレート、mocvd GaN ウェーハ、カスタマイズされたサイズによる自立型 GaN 基板、LED 用小型 GaN ウェーハ、mocvd 窒化ガリウム ウェーハ 10x10mm、5x5mm、10x5mm GaNウェーハ、無極性自立GaN基板(a面、m面)
GaNウェーハの特性
製品
窒化ガリウム(GaN)基板
製品説明:
サファイア GaN テンプレートは、エピタキシャル水素化物気相エピタキシー (HVPE) 法で提供されます。HVPE プロセスでは、... もっと見る
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サファイアの真空装置のための光学ビューポートのWindowsレンズ
価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: within 30days
ブランド: zmkj
ハイライト:サファイア ガラス レンズ, サファイアの保護ガラス
レーザーのdeivceSapphireのステップ窓、サファイアの光学レンズ、Al2O3単結晶ガラス、サファイアの光学ガラスのステップ サファイアの版のサファイアの光学窓のための308nmバンドdia60mmサファイアの光学部品レンズの伝送84.5%、
サファイアの窓導入するため
単結晶のサファイアは優秀な光学、物理的なおよび化学特性の独特な組合せを所有している。酸化物の水晶の最も堅いのは、サファイア高温で高力を保ったり、よい熱特性および優秀な透明物がある。それは300 °C.の下で共通の酸およびアルカリに対して、またHFに対して温度の1000まで°Cで化学的に抵抗力... もっと見る
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Al2O3 99.999% シングルクリスタル 4 インチ SSP/DSP Dia100mm A平面サファイア・ウェーファー基板
価格: By case
MOQ: 25PC
納期: in 15 days
ブランド: ZMSH
ハイライト:Al2O3 シングルクリスタルサファイア, A平面サファイア・ウェーファー基板, ダイヤ 100mm サファイア・ウェーファー
4インチ SSP/DSP Dia100mm A平面軸C サファイア・ウェーファー基板 キャリア シングル・クリスタル
製品説明:
サファイアとは 物理的,化学的,光学的な特性の 独特な組み合わせを持つ材料で,高温や熱ショック,水や砂の侵食,そして 傷害に耐えるものです3μmから5μmの多くのIRアプリケーションのための優れた窓材料ですC平面のサファイア基板は,青いLEDとレーザーダイオードのためのGaNなどのIII-VおよびII-VI化合物の栽培に使用されています.R平面のサファイア基板は,マイクロ電子ICアプリケーションのためのシリコンのヘテロエピタキシアル堆積に使用されます..
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12"サファイアのガラス ウエファー
価格: by case
MOQ: 5pcs
納期: 10-30days
ブランド: zmsh
ハイライト:12"サファイアのガラス ウエファー, 300mmのサファイアのガラス ウエファー, 耐久性のサファイアのガラス ウエファーを
極めて薄いサファイアのガラス ウエファー、epi準備ができたのための4inch 0.5mmのC軸線のサファイアのウエファー、サファイアの光学窓カバーのためのサファイアの厚いガラス レンズ、4inch 0.3mmの厚さのサファイアのウエファー、
diameter300mm 12inchの倍の側面はサファイアの半導体のキャリアのウエファーのためのノッチが付いているガラス ウエファーの窓を磨いた
化学的に、サファイアは単結晶の酸化アルミニウム(Al2O3)で、0.2からの伝送範囲に有用-そう極度な表面の硬度のためにそれらデマンドが高い適用のための理想的な材料を(レーザー システムのような)、共通... もっと見る
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力RF LEDの適用のための8INCH 12INCH 6INCH GaN Si EPI-WAFERS
価格: by case
MOQ: 1pcs
納期: 2-4weeks
ブランド: ZMSH
ハイライト:産業等級Si Epiのウエファー, GaN Si Epiのウエファー, 力RFの窒化アルミニウムの基質
8インチ 12インチ 6インチ GAN-ON-SI EPI-WAFERS
GaNエピタキシアルウエファー (GaNEPI on Silicon)ZMSHは,シャンヒアにおけるGaN-on-Si上軸晶片の代理物である.ガリウムナイトリド (GaN) は,エネルギーギャップが広いため,電源装置や青光発光二極管に広く使用されている.
紹介エネルギー節約と情報通信システムの進歩の必要性が高まっている.我々は次の世代の半導体材料としてガリウムナイトリッド (GaN) を用いた 幅広く半導体基板を開発しました.コンセプト: シリコン基板に単結晶のガナニウム薄膜を植え付けることで 次世代のデバイスのため... もっと見る
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カスタマイズされたサイズの炭化ケイ素の基質の硬度装置のための9.4 Sicの部品
価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: within 15days
ブランド: zmsh
ハイライト:炭化ケイ素の基質, sicのウエファー
10×10mm 5×5mm カスタマイズされた四角シシ基板,1インチシシウフ,シシウフ・クリスタルチップ,シシウフ半導体基板,6H-N SIC・ウーファー,高純度シリコン・カービッド・ウーファー配列を表示する半導体材料,特に SiC・ウェーバー,ポリタイプ4Hと6Hの SiC基質を 研究者や産業メーカーに 異なる品質グレードで提供しています我々はSiC結晶の成長工場と良い関係を維持しています製造ラインを設立し,シリウムシリウム基板とシリウムシリウムシリウムシリウムシリウムシリウムシリウムシリウムシリウム先進的・ハイテク材料研究と国家研究機関と中国の半導体研究所から投資された プロの会社として現... もっと見る
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レーザーの投射の表示ガリウム窒化物のGaNのウエファー350umの厚さ
価格: by case
MOQ: 1pc
納期: 2-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:gan型板, alnの型板
2inch支えがないGaNの基質、LDのためのGaNのウエファー、GaNの型板導かれるのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、10x10mm GaNの基質、GaNの天然ウエファー、
III窒化物(GaN、AlNのイン)
禁止された帯域幅(発光および吸収)カバー紫外線、可視ライトおよび赤外線。
GaNはLED表示、高エネルギー検出およびイメージ投射のような多くの地域で使用することができます
レーザーの投射の表示、力装置、等。
指定:
項目
GaN FSN
次元
Ф 50.8mmの± 1mm
Marcoの欠陥密度
レベル
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サファイアの光学ガラス レンズ、化学抵抗の単結晶ガラス
価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 20DAYS
ブランド: zmkj
ハイライト:サファイアの管, サファイアの窓
サファイアの光学レンズ、Al2O3単結晶ガラス、サファイアの光学ガラスのインゴット、サファイアの光学棒、サファイアの光学棒、Al2O3単結晶のガラス レンズ、サファイアによる光学ガラスのインゴット、サファイアの光学棒
なぜサファイアを選んで下さいか。
1 -薄く、強くより標準的なガラスWindows2 - 紫外線及ぶ波長をから中間赤外線に送信します3 - 特徴の極度な表面の硬度および化学抵抗サファイアの棒は極度な表面の硬度のためにそれらデマンドが高い適用のための理想を(レーザー システムのような)、共通の化学酸およびアルカリへの高い熱伝導性する、単結晶のサファイアから製造された高い比... もっと見る
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鋸のための圧電気水晶LiTaO3 LiNbO3のウエファー、黒いLTおよびLNのウエファー
価格: by case
MOQ: 25pcs
納期: 15-30days
ブランド: zmkj
ハイライト:黒いLt, litao3ウエファー
3inch dia76.2mmのリチウムtantalate LiTaO3のリチウム ニオブ酸塩LiNbO3のウエファーの基質、
黒いLTおよびLNのウエファーはのための、3inch、4inchの6inch LiTaO3のウエファー見ました
圧電気水晶のリチウムTantalateのLT LiTaO3の水晶
材料として電気光学および音響工学適用の使用を見つけるリチウムTantalate (LT、LiTaO3)に独特な特性があります。これらは次のとおりである場合もあります:表面の音波装置、バルク音波装置、圧電気のトランスデューサーおよび圧電気センサー。リチウムTantalateの3... もっと見る
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形の総合的なサファイアの棒のカスタマイズされた光学棒0.1 - 200mmの厚さ
価格: 100usd/pcs by FOB
MOQ: 30pcs
納期: 20DAYS
ブランド: zmkj
ハイライト:総合的なルビー色の棒, サファイアの棒
サファイアの光学レンズ、Al2O3単結晶ガラス、サファイアの光学ガラスのインゴット、サファイアの光学棒、サファイアの光学棒、Al2O3単結晶のガラス レンズ、サファイアによる光学ガラスのインゴット、サファイアの光学棒
サファイアは何ですか。
1- 薄く、強くより標準的なガラスWindows2- 紫外線及ぶ波長をから中間赤外線に送信します3- 特徴の極度な表面の硬度および化学抵抗サファイアの棒は極度な表面の硬度のためにそれらデマンドが高い適用のための理想を(レーザー システムのような)、共通の化学酸およびアルカリへの高い熱伝導性する、単結晶のサファイアから製造された高い比誘電率および抵... もっと見る
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黒いリン化インジウムのウエファー、LDの適用のための半導体ウエハー
価格: by case
MOQ: 5pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:mgoの基質, ギャップのウエファー
LDの適用のための2inch 3inch 4inch INP基質、半導体ウエハー、INPウエファー、単結晶のウエファー
INPは導入します
INP単結晶
tCZの成長(Czochralski変更された方法)が種から始まってホウ素の酸化物の液体のencapsulantによって単結晶を引っ張るのに使用されています。添加物(Fe、S、SnまたはZn)はpolycrystalと共にるつぼに加えられます。高圧は部屋の中でリン化インジウムの分解を防ぐために適用されます。私達は十分にstoechiometric、高い純度および低い転位密度INP単結晶をもたらす... もっと見る
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3つの色のリチウムTantalateのウエファーは、Litao3ウエファーのための光学見、
価格: by case
MOQ: 25pcs
納期: 15-30days
ブランド: zmkj
ハイライト:リチウム ニオブ酸塩のウエファー, litao3ウエファー
4inch直径100mmのリチウム ニオブ酸塩LiNbO3の基質のウエファー、LNのウエファーはのための光学、見ました等級LiNbO3の水晶のインゴットを見、
記述:
リチウム ニオブ酸塩(LiNbO3)はいろいろな適用のためのferroelectric物質的な適しています。その多様性
真性の優秀な電気光学、非線形の、および圧電気の特性によって可能に作られます
材料。最も完全に特徴付けられた電気光学材料の1時であり、結晶成長の技術は一貫して高い完全さの大きい水晶を作り出します。
適用:
波長>1μmおよび光学パラメーター付き発振器(OPOs)のために倍増する頻... もっと見る
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サファイア、Siの基質の2inch 4Inchガリウム窒化物のGaN AlNの型板のウエファー
価格: by case
MOQ: 2pc
納期: 2-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:gan基質, gan型板
サファイアの2inch、4inchガリウム窒化物のAlNの型板のウエファーかsicの基質、HVPEガリウム窒化物のウエファー、AlNの型板
III窒化物(GaN、AlNのイン)
禁止された帯域幅(発光および吸収)カバー紫外線、可視ライトおよび赤外線。
プロダクト
窒化アルミニウム(AlN)のフィルム
製品の説明:
AllN Epitxialはsaphhireの水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)モデル方法を提案しました。窒化アルミニウムのフィルムはまた窒化アルミニウムの単結晶の基質を取り替える費用効果が大きい方法です。誠意をこめて枝水晶の歓迎あなたの照会!
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熱伝導性の陶磁器の基質の窒化アルミニウムのAlNの高い陶磁器の基質
価格: by case
MOQ: 25pcs
納期: 10-20days
ブランド: zmkj
ハイライト:陶磁器炭化ケイ素, アルミナの陶磁器の基質
窒化アルミニウムのAlNの陶磁器の基質、高い熱伝導性
陶磁器0.5mm AlN 6inch陶磁器の基質
AlNは導入します
陶磁器窒化アルミニウム(AlN)に高い熱伝導性(陶磁器アルミナとして5-10回)があります、
低い比誘電率および誘電正接、よい絶縁材および優秀な機械特性、無毒で、高い熱抵抗、化学抵抗および線形拡張係数はSiと類似しています。
陶磁器材料の新しい世代として、陶磁器AlNは注意をますます引き付けます。導くこと
国内企業のレベルは、会社のAlNの私達の陶磁器の基質の質国際的な高度のレベルに達します。それはコミュニケーション部品、導かれる高い発電で広く利用されて... もっと見る
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EFG方法透明なサファイアのガラス管の熱電対の保護管
価格: by case
MOQ: 1pcs
納期: 10-30DAYS
ブランド: zmkj
ハイライト:透明なガラス サファイアの管, EFG方法熱電対の保護管, 24mmの熱電対の保護管
サファイアの光学レンズ、Al2O3単結晶ガラス、サファイアの光学ガラスのインゴット、サファイアの光学棒、サファイアの光学棒、Al2O3単一のcrstalガラス レンズ、サファイアによる光学ガラスのインゴット、サファイアの光学棒、サファイアの熱電対の保護管、Al2O3管、
EFG方法透明なサファイアの熱電対の保護管のサファイアのガラス管
サファイアの特徴について
100%のガス堅さ-気孔は熱電対に、完全な環境の絶縁材周囲の空気の拡散を防がない
積極的な環境に抗力が高い
2000°Cまでの実用温度-サファイアの管は特徴を維持し、融点までの形は、ceramicrと... もっと見る
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カスタマイズされたサイズの総合的なサファイアは0.2 - 300のMm円リング直径を分けます
価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 15-30days
ブランド: zmsh
ハイライト:サファイア軸受け, サファイアの管
サファイア リング、サファイアの円、sapphieの光学レンズ、サファイアによる時計ガラス レンズ、サファイアの荒いレンズ、のサファイア軸受け、サファイアのとつレンズ、カスタマイズされるによるAl2O3単結晶レンズのためのサファイアのガラス部品忍耐
1. サファイアWindowsおよびサファイア レンズの概要の指定直径0.2-300mmかカスタム化直径の許容+/-0.1mmまたは+/-0.02mm厚さ0.10-100mm厚さの許容± 0.1mmまたは+/-0.02mm表面質(傷及び発掘) 60/40、40/20またはよりよい表面の正確さλ/10、λ/2のλ明確な開き>85%... もっと見る
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高性能システム サファイアは軽いガイドのための水晶光学シリンダーを分けます
価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 20DAYS
ブランド: zmkj
ハイライト:サファイア軸受け, サファイアの管
サファイア光学シリンダー Al2O3単結晶ガラス,サファイア光学ガラスインゴット,サファイア光学棒,サファイア光学棒,Al2O3単結晶ガラスレンズ,サファイアによる光学ガラスインゴット,磨いたサファイア光学棒
サファイアはどこから来たの?
合成品サファイアコルンデムの単結晶形,Al2オー3アルファアルミナ,アルミナ
シングルクリスタルアル2オー3サファイアとは,毛孔性や粒の境界のない最も純粋な形態のアルミ酸化物で,理論的には密度が高い.熱力耐久性により,高性能システムと部品設計に好ましい材料となっています.サファイアが他の合成単結石に比べると最も良い選択です.
サファイア の 主要 な 特... もっと見る
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高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質
価格: by case
MOQ: 1pcs
納期: 15days within
ブランド: zmsh
ハイライト:炭化ケイ素の基質, sicのウエファー
6inch sicの基質、4h-n、4H-SEMIのsicのインゴットsicの水晶インゴットsicのクリスタル・ブロックsicの半導体の基質、高い純度の炭化ケイ素
SiCのウエファー
SiCの水晶は切れにcutted、磨いて、SiCのウエファーは来る。指定および細部については、ページの下で訪問しなさい。
SiCの結晶成長
バルク結晶成長はそれ以上の装置処理のための基盤を作る単一の結晶の基質の製作のための技術である。SiCの技術の進歩があるためには明らかに私達は再生可能なprocess.6H-のSiCの基質の生産は必要とし、4H- SiCの水晶は2100-250... もっと見る
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