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China sic substrate
サプライヤー4H-N 4インチの窒化珪素SiCの基質の高い発電装置のための模造の等級SiCの基質
価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 10-30days
ブランド: ZMSH
年設立:2013
製造元
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4H N型 半型 SiC ウェーファー 6インチ 12インチ SiC ウェーファー SiC 基板 ((0001) 双面ポーリング Ra≤1 nm カスタマイズ
価格: Negotiable
納期: 2-4weeks
ブランド: ZMSH
年設立:2013
製造元
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優秀な熱機械特性の炭化ケイ素のウエファーSiCの基質
価格: Negotiable
MOQ: 1pc
納期: 4-6 weeks
ブランド: Kinheng
ISO9001:2008
年設立:2013
製造業者
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パワーデバイス、マイクロ波デバイス向けPレベル2インチSiC基板
価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 3-4 week days
ブランド: GaNova
SGS
年設立:2020
製造業者
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4h-N Semi Silicon Carbide Wafer Sic Substrate Wafer for MOS Device
価格: Depends on size and quantity
MOQ: 100
納期: 8~10 working days
ブランド: ANG
BV,RoHS (SMART CARD)
年設立:2010
製造元
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