RTP-SA-8 焼却システム
価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 3 month
ブランド: Ganova
ハイライト:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... もっと見る
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3つのセットのプロセス ガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム
価格: Negotiable
MOQ: 1
納期: 8-10week days
ブランド: GaNova
ハイライト:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... もっと見る
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FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置
価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 3-4 week days
ブランド: GaNova
ハイライト:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... もっと見る
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サファイアSSPの平らなサファイアの675um 4インチ青いLED GaNのエピタキシアル ウエファーへの625um
価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 3-4 week days
ブランド: GaNova
ハイライト:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... もっと見る
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JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー
価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: Negotiable
JDCD08-001-006 6inch C-Plane Sapphire Substrate Wafer Sapphires are Second Only to Diamonds in Durability Diamond is the most durable naturally occurring element on earth and ranks as a 10 out of 10 on Mohs Scale of Mineral Hardness. Sapphires are also very durable and rank as a 9 out of 10 on Mohs ... もっと見る
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GaN 2 インチガリウムナイトリド シングルクリスタル基板
価格: Negotiable
MOQ: 1
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:GaN Gallium Nitride Single Crystal Substrate, 2inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the preparation process of gallium nitride (GaN) crystals, and it is the substrate on which gallium... もっと見る
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シングルクリスタルガンエピ・ウェーファー ガリウムナイトリド基板 4インチ
価格: Negotiable
MOQ: 1
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:single crystal gan epi wafer, 4 Inch gan epi wafer, single crystal gan substrate
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (GaN) ... もっと見る
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4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド
価格: Negotiable
MOQ: 1
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:4 Inch gan substrate, Fe Doped gan substrate, Freestanding gan substrate
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (G... もっと見る
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2インチ パワーデバイス 高電子移動性トランジスタ エピタキシアル・ウェーファー
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... もっと見る
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625um から 675um 4 インチ ブルー LED ガリウムナイトリッド GaN エピタキシアル・ウェーファー・オン・ザファイア SSP フラット・ザファイア
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: 3-4 week days
ブランド: GaNova
ハイライト:625um gan epi wafer, 675um gan epi wafer, 4 inch gan epitaxial wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED gallium nitride GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, gallium nitride (GaN) is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optica... もっと見る
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ALN 10*10mm2 AlN シングルクリスタル 400±50μM S/P/Rグレード
価格: Negotiable
MOQ: 1
納期: Negotiable
ブランド: GaNova
ハイライト:ALN aluminum nitride wafer, 2H aluminum nitride wafer, 10*10mm2 aln wafer
AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... もっと見る
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2インチ GaN シリコン HEMT エピ・ウエファー 電力装置
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:GaN On Silicon HEMT Epi Wafer, 2 Inch Epi Wafer, Power Device Epi Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... もっと見る
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LEDレーザーPINデバイスのための2 ′′6インチN型ガナオンサファイアエピタキシアルウェーファー
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: 3-4 weeks
ハイライト:2inch gan epi wafer, 6inch gan epi wafer, N Type gan epi wafer
Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw materials for semiconductor chips. Epiaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor D... もっと見る
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1インチ AlN シングルクリスタルウエファー 400±50μM S/P/Rグレード
価格: Negotiable
納期: Negotiable
ブランド: GaNova
ハイライト:1 Inch aln wafer, aln wafer 1 Inch, aluminum nitride wafer aln
AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... もっと見る
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高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: 3-4 weeks
ブランド: Ganova
ハイライト:Chip Production gan epi wafer, Chip Production GaN Epitaxial Wafers, Chip Production GaN epi-wafers
Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw materials for semiconductor chips. Epiaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor D... もっと見る
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AlGaNバリア 4インチ GaN シリコンHEMT Epi ワッフルガリウムナイトリド GaN-on-Si
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... もっと見る
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シリコンHEMTエピ・ウェーファー電源装置 ガリウムナイトリッド
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:6 Inch sic epitaxial wafer, 6 Inch sic epi wafer, 6 Inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... もっと見る
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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチ シリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... もっと見る
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シリコンに2インチガナリン 青いLDエピウエファー
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... もっと見る
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青いLED GaN シリコン・ウェーファー 青いレーザー GaN エピタキシアル・ウェーファー
価格: Negotiable
MOQ: 5
納期: Negotiable
ブランド: Ganova
ハイライト:Silicon Based Gallium Nitride Epitaxial Wafer, HEMT epitaxial wafer, 4 inch sic epitaxial wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... もっと見る
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