リン化インジウムのウエファー

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中国 黒いリン化インジウムのウエファー、LDの適用のための半導体ウエハー 販売のため

黒いリン化インジウムのウエファー、LDの適用のための半導体ウエハー

価格: by case
MOQ: 5pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:mgo substrate, gap wafer
2inch 3inch 4inch InP substrates for LD application, semiconductor wafer,InP wafer,single crystal wafer InP introduce InP single crystal The tCZ growth (modified Czochralski method) is used to pull a single crystal through a boric oxide liquid encapsulant starting from a seed. The dopant (Fe, S, Sn ... もっと見る
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中国 2 - 6インチ ガリウム リン化物の水晶基質のギャップのウエファー0.1 - 2mmの厚さ 販売のため

2 - 6インチ ガリウム リン化物の水晶基質のギャップのウエファー0.1 - 2mmの厚さ

価格: by case
MOQ: 5pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:mgo substrate, gap wafer
2-6 inch Gallium phosphide (GaP) crystals crystal substrate,GaP wafer ZMKJ can provides high quality single crystal GaP wafer ( Gallium phosphide ) to electronic and optoelectronic industry in diameter up to 2 inch . Gallium phosphide ( GaP ) crystal is an orange-yellow semi-translucent material for... もっと見る
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中国 GEの光学版のリン化インジウムのウエファーの優秀な半導体材料 販売のため

GEの光学版のリン化インジウムのウエファーの優秀な半導体材料

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:mgo substrate, gap wafer
Germanium Single Crystals Wafers,Ge optical plates Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ) Crystal Structure Cube Lattice Co... もっと見る
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中国 GEレンズの半導体の基質INPインジウム ガリウム リン化物のウエファー 販売のため

GEレンズの半導体の基質INPインジウム ガリウム リン化物のウエファー

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:Ge lens Indium Phosphide Wafer, semiconductor substrates Indium Phosphide Wafer, inp Ge single crystal
4inch 6inch Germanium Single Crystals Ge substrates Wafers,customized Ge optical lens Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ... もっと見る
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中国 4インチのLDの半導体レーザーのためのSemi-Insulatingリン化インジウムINPウエファー 販売のため

4インチのLDの半導体レーザーのためのSemi-Insulatingリン化インジウムINPウエファー

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 3-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:inp wafer, mgo substrate
4inch Semi-Insulating Indium Phosphide InP Wafer for LD Laser Diode,semiconductor wafer,3inch InP wafer,single crystal wafer​2inch 3inch 4inch InP substrates for LD application, semiconductor wafer,InP wafer,single crystal wafer InP introduce InP single crystal growth (modified Czochralski method) i... もっと見る
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中国 3.58密度Mgoの基質/Mgoのウエファーの酸化マグネシウムの水晶の基質 販売のため

3.58密度Mgoの基質/Mgoのウエファーの酸化マグネシウムの水晶の基質

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:inp wafer, gap wafer
MgO substrates,10X10mm MgO wafer,semiconductor wafer,Magnesium oxide (MgO) crystal substrate, crystals supplier MgO WAFER 5x5mm Product Description:Magnesium oxide (MgO) is excellent for monocrystalline substrate is widely used in production of the ferroelectric thin film, he magnetic film, optical ... もっと見る
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中国 ゲルマニウムの単結晶INPウエファーの半導体の基質 販売のため

ゲルマニウムの単結晶INPウエファーの半導体の基質

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:inp wafers semiconductor substrates, Semiconductor Germanium inp wafers, germanium single crystals substrates
4inch 6inch Germanium Single Crystals Ge substrates Wafers,customized Ge optical lens Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ... もっと見る
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中国 半絶縁の2インチ50mm Nのタイプ模造INPリン化インジウムのウエファー 販売のため

半絶縁の2インチ50mm Nのタイプ模造INPリン化インジウムのウエファー

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 3-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:50mm indium Phosphide Wafer, Semi Insulating indium Phosphide Wafer, n type inp wafer
2inch dia50.8mm n-type dummy prime grade InP indium Phosphide Wafer 4inch Semi-Insulating Indium Phosphide InP Wafer for LD Laser Diode,semiconductor wafer,3inch InP wafer,single crystal wafer​2inch 3inch 4inch InP substrates for LD application, semiconductor wafer,InP wafer,single crystal wafer InP... もっと見る
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中国 高い屈折するDSP表面GEのゲルマニウムのウエファー 販売のため

高い屈折するDSP表面GEのゲルマニウムのウエファー

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:DSP Surface Germanium Wafer, high refractive Germanium Wafer, DSP Surface ge wafer
2inch 4inch 6inch N Type P type doped Germanium Single Crystals Wafers, Germanium Single Crystals optical plates Ge wafer / Ge window Germanium (Ge) is the preferred lens and window material for high performance infrared imaging systems in the 8–12 um wavelength band. Its high refractive index makes... もっと見る
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中国 GE光学INPウエファー、半導体デバイスのリン化インジウムのウエファー 販売のため

GE光学INPウエファー、半導体デバイスのリン化インジウムのウエファー

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:Ge Optical inp wafer, Ge Optical Indium Phosphide Wafer, semiconductor device inp wafer
Germanium Single Crystals Wafers,Ge optical plates Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ) Crystal Structure Cube Lattice Co... もっと見る
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中国 アークのフランスの成長の立方体水晶Mgoの基質、酸化マグネシウムの水晶 販売のため

アークのフランスの成長の立方体水晶Mgoの基質、酸化マグネシウムの水晶

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:Arc France mgo substrates, Cube crystal mgo substrates, mgo magnesium oxide crystal
MgO substrates,10X10mm MgO wafer,semiconductor wafer,Magnesium oxide (MgO) crystal substrate, crystals supplier MgO WAFER 5x5mm Product Description: Magnesium oxide (MgO) is excellent for monocrystalline substrate is widely used in production of the ferroelectric thin film, he magnetic film, optical... もっと見る
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中国 ゲルマニウムの単結晶のリン化インジウムのウエファーはGEの光学レンズ4/6インチをカスタマイズしました 販売のため

ゲルマニウムの単結晶のリン化インジウムのウエファーはGEの光学レンズ4/6インチをカスタマイズしました

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:inp wafer, gap wafer
4inch 6inch Germanium Single Crystals Ge substrates Wafers,customized Ge optical lens Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ... もっと見る
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中国 N / Pはゲルマニウムのウエファー、ゲルマニウムの光学版の直径0.5 | 150mmをタイプします 販売のため

N / Pはゲルマニウムのウエファー、ゲルマニウムの光学版の直径0.5 | 150mmをタイプします

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:inp wafer, mgo substrate
2inch 4inch 6inch N Type P type doped Germanium Single Crystals Wafers, Germanium Single Crystals optical plates Ge wafer / Ge window Germanium (Ge) is the preferred lens and window material for high performance infrared imaging systems in the 8–12 um wavelength band. Its high refractive index makes... もっと見る
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中国 LDのための第一次/模造の等級のリン化インジウムのウエファーの厚さ350um 販売のため

LDのための第一次/模造の等級のリン化インジウムのウエファーの厚さ350um

価格: by case
MOQ: 3pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:mgo substrate, gap wafer
2inch N-type P-type thickness 350um primary grade Dummy grade Indium Phosphide crystal InP substrates wafer for LD Indium phosphide single crystal material is one of most important semiconductor compound, which is key raw material for laser diode of indium phosphide substrate(LD), light emitting dio... もっと見る
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中国 ゲルミウム基板 GE 平窓 光学レンズ 熱画像処理 紫外線スペクトロスコピー 高硬度 販売のため

ゲルミウム基板 GE 平窓 光学レンズ 熱画像処理 紫外線スペクトロスコピー 高硬度

価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 2-4 weeks
ブランド: ZMSH
ハイライト:Thermal Imaging Applications Germanium substrate, Infrared Spectroscopy Germanium substrate, High hardness Germanium substrate
Product Description Germanium substrate GE Flat Windows Optical Lenses Thermal Imaging Applications and Infrared Spectroscopy High hardness Germanium window (Ge) is a chemically inert material with a permissive spectrum range of 2-12μm, which is a commonly used infrared optical material, with high h... もっと見る
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中国 インディアムアルセニード2インチ3インチ4インチ シングルクリスタル基板 N/Pタイプ 半導体 販売のため

インディアムアルセニード2インチ3インチ4インチ シングルクリスタル基板 N/Pタイプ 半導体

価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 2-4 weeks
ブランド: ZMSH
ハイライト:4 inch Indium Arsenide Wafer, 3 inch Indium Arsenide Wafer, 2 inch Indium Arsenide Wafer
Product Description InAs Indium Arsenide2inch 3inch 4inch Single Crystal Substrate N/P Type Semiconductor Wafer Thickness 300-800um Indium InAs or indium arsenide monolithic is a semiconductor composed of indium and arsenic. It has a gray cubic crystal appearance and a melting point of 942°C. Indium... もっと見る
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中国 ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形 販売のため

ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形

価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 2-4 weeks
ブランド: ZMSH
ハイライト:CPV germanium wafer, custom size germanium wafer, semiconductor germanium wafer
Product Description Ge germanium wafer semiconductor substrates concentrating photovoltaic CPV custom size shapes Germanium has good semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (e.g., indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors, and pentaval... もっと見る
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中国 マグネシウム酸化物 純度 95% MgOフィルム 基板 5x5 10x10 20x20 厚さ 0.5mm 1.0mm 向き <001> <110> <111> 販売のため

マグネシウム酸化物 純度 95% MgOフィルム 基板 5x5 10x10 20x20 厚さ 0.5mm 1.0mm 向き <001> <110> <111>

価格: by case
MOQ: 10pcs
納期: 1-4weeks
ブランド: zmkj
ハイライト:5x5 MgO film substrate, 20x20 MgO film substrate, 10x10 MgO film substrate
Magnesium oxide purity 95% MgO film substrate 5x5 10x10 20x20 thickness 0.5mm 1.0mm orientation Product Description: Thin film substrate magnesium oxide (MgO) single crystal is a high-quality substrate material with excellent physical and chemical properties, such as high melting point, low dielectr... もっと見る
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中国 InAsウエファードーピング Zn 2 インチ インディアムアルセニードウエファーDia 50mm 厚さ 500um <100> オーダーメイド 販売のため

InAsウエファードーピング Zn 2 インチ インディアムアルセニードウエファーDia 50mm 厚さ 500um <100> オーダーメイド

価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 2-4 weeks
ブランド: ZMSH
ハイライト:Customized Indium Arsenide Wafer, 2 Inch Indium Arsenide Wafer, 500um Indium Arsenide Wafer
2inch Indium Arsenide Wafer InAs Epitaxial Wafer for LD Laser Diode, semiconductor epitaxial wafer, 3inch InAs-Zn wafer, InAs single crystal wafer ​2inch 3inch 4inch InAs-Zn substrates for LD application, semiconductor wafer, Indium Arsenide Laser Epitaxial Wafer Features of InAs-Zn Wafer - use InAs... もっと見る
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中国 DFB ウェーファー N-InP 基板 エピウェーファー 活性層 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 インチ ガスのセンサー 販売のため

DFB ウェーファー N-InP 基板 エピウェーファー 活性層 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 インチ ガスのセンサー

価格: Negotiable
MOQ: Negotiable
納期: 2-4weeks
ブランド: ZMSH
ハイライト:2 inch InP substrate epiwafer, 4 inch InP substrate epiwafer, 6 inch InP substrate epiwafer
DFB wafer N-InP substrate epiwafer active layer InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch for gas sensor DFB wafer N-InP substrate epiwafer's brief A Distributed Feedback (DFB) wafer on an n-type Indium Phosphide (N-InP) substrate is a critical material used in the production of high-performance DFB laser diodes.... もっと見る
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