高い発電MOSFET
(20)
ISO9001 メタルオキシド半導体フェット モスフェットトランジスタ 多機能
価格: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:ISO9001 Metal Oxide Semiconductor Fet Mosfet, Multiscene Metal Oxide Semiconductor Fet Mosfet, Multi Function Metal Oxide Semiconductor Transistor
Low On Resistance High Power MOSFET Stable Process Reliable Quality Product Description: High Power MOSFET is a widely used device type that features high current, high power and high frequency. It is mainly used in different applications such as solar inverters, high-voltage DC/DC converters, motor... もっと見る
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炭化ケイ素MOSFET
(20)
産業用シ・カービッド モスフェット 交換周波数 耐久性 耐熱
価格: Confirm price based on product
MOQ: 600
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:Industrial Si Carbide Mosfet, Si Carbide Mosfet Durable, Heatproof Sic Mosfet Switching Frequency
High Frequency Silicon Carbide MOSFET Device for Industrial Applications Product Description: Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are advanced power semiconductors which provide high power and high frequency capabilities for a variety of applications, i... もっと見る
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抗EMI超接力モスフェット 実践Nチャネルパワーモスフェット
価格: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:Anti EMI Superjunction Power Mosfet, N Channel Superjunction Power Mosfet, Practical N Channel Power Mosfet
Ultra Small Package Superjunction Power MOSFET with Large EMI Margin Product Description: Super Junction MOSFETs - An Ultra Low Junction Capacitance and Ultra Small Internal Resistance Product Super Junction MOSFETs (SJ MOSFET) is a type of N-channel power MOSFETs with superior performance, mainly u... もっと見る
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シリコンカービッドSBD
(27)
シリコン・ショットキー・バリア・リクティファイヤー・ダイオード 多機能工業用
価格: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:Silicon Schottky Barrier Rectifier Diode, Schottky Barrier Rectifier Diode Multifunctional, Industry Silicon Rectifier Diode
High Power SBD Silicon Carbide for Etc with Product Description: Silicon Carbide Schottky Barrier Diode (SBD) is a new type of power semiconductor device with high power, extremely low reverse recovery current, strong anti surge current ability, and high efficiency. It is mainly used in PFC circuit,... もっと見る
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高圧MOSFET
(40)
電源システムLEDドライバの適用のための超高周波MOSFET
価格: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:電源システム MOSFET, LEDドライバーアプリケーション MOSFET
製品説明:
高電圧MOSFETは,新しいタイプの電源半導体装置である.超高電圧,高効率,低電阻の利点を提供しています.このMOSFETは FRD (フィールドリラックスダイオード) で埋め込まれていますこの装置は,新しい横向変数ドーピング技術を提供し,特殊な電源MOS構造と高温での優れた特性スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,LEDドライバー,アダプター,インバーター,その他の電気電力システムに広く使用されています.
技術パラメータ:
製品名
高電圧MOSFET
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション
モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッ... もっと見る
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低電圧MOSFET
(40)
高効率 低電源損失 低電圧 MOSFET トレンチ/SGT プロセス
価格: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:トレンチ低電圧MOSFET
製品説明:低電圧MOSFETは,幅広い電子アプリケーションにおけるエネルギー効率と電力の密度の増加要求に応えるために設計された最先端の半導体装置です.この製品は洗練されたTrench/SGT (シールドドゲートトレンチ) 構造プロセスを用いて設計されています.このユニークな統合により,低電圧MOSFETは市場で注目される.最高の性能を 提供し,それに匹敵するのは難しい.
トレンチ低電圧MOSFETの特徴の一つは,トレンチプロセスの直接的な結果であるより小さなRSP (Rdson*Area) です.トレンチ技術により,よりコンパクトな細胞設計が可能になりますMOSFETの全体的なフットプリント... もっと見る
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高功率 IGBT
(10)
充電台 高電力 IGBT トランジスタ 多用途 OBC
価格: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:Charging Pile High Power IGBT, OBC High Power IGBT, Multipurpose IGBT Transistor
Product Description: High Power IGBT High Power Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is a high voltage device used in many applications, such as on-board chargers, welding machines, switching power supplies, photovoltaic inverters, energy storage, and more. With a current density of 400A/cm² and... もっと見る
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ショットキー バリア・ダイオード
(10)
電源ダイオード スコットキーバリア 安定, MBR2045CT シック スコットキー矯正器
価格: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:Power Supply Diode Schottky BarrierPower Supply Diode Schottky Barrier, Diode Schottky Barrier Stable, MBR2045CT Sic Schottky Rectifier
Schottky Barrier Diode Device for Switching Power Supply with Low VF Product Description: Schottky Barrier Diodes are extremely efficient and reliable semiconductor devices that offer a low forward voltage drop and low leakage for a wide variety of applications. The devices feature a low forward vol... もっと見る
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高功率半導体
(20)
自動車用高功率半導体装置 切断端電源電子モジュール
価格: Confirm price based on product
MOQ: 600 PCS
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:Electronic High Power Semiconductor, Automotive High Power Semiconductor
High Power Device Temperature Resistance For High-Temperature Environments Product Description: High Power Semiconductor High Power Semiconductor is a cutting-edge power electronic module that is designed to meet the high demands of modern technology. This product is built to the National Military S... もっと見る
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SIC パワー半導体
(10)
耐熱 シリコン半導体 超電圧対策 マルチスクリーン 1200V
価格: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:Heatproof Silicon Semi Conductor, Silicon Semi Conductor Anti Surge, Multiscene Silicon Carbide SiC Power Semiconductors
Product Description: High Power Semiconductor is a powerful integrated circuit module designed for a variety of applications, such as solar inverters, high-voltage DC/DC converters, motor drivers, UPS, switching power supplies, and converters. It is renowned for its high power efficiency, low Rds(ON... もっと見る
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