中国 高効率 低電源損失 低電圧 MOSFET トレンチ / SGT プロセス 販売のため

高効率 低電源損失 低電圧 MOSFET トレンチ / SGT プロセス

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MOQ: Negotiable
納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:トレンチ低電圧MOSFET, 高効率の低電圧MOSFET, 低電源損失 低電圧 MOSFET
製品説明:について低電圧MOSFET高効率,信頼性,低電圧操作での性能を必要とするアプリケーションのために特別に設計された先進的な電源管理半導体である.この製品は,パワー電子産業の基本製品です自動車運転手から最新の5Gベースステーション,エネルギー貯蔵システム,高周波スイッチ,同期直線回路まで 様々な用途に対応しています について低電圧MOSFET最先端の技術で作られています構造処理: トレンチ/SGT(Shielded Gate Trench) の技術で,重要な側面での性能を向上させます.SGTプロセスは,自動車運転手,自動車運転手などのアプリケーションで特に有益です.装置が高いスイッチ... もっと見る
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中国 高効率 低電源損失 低電圧 MOSFET トレンチ/SGT プロセス 販売のため

高効率 低電源損失 低電圧 MOSFET トレンチ/SGT プロセス

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ブランド: REASUNOS
ハイライト:トレンチ低電圧MOSFET
製品説明:低電圧MOSFETは,幅広い電子アプリケーションにおけるエネルギー効率と電力の密度の増加要求に応えるために設計された最先端の半導体装置です.この製品は洗練されたTrench/SGT (シールドドゲートトレンチ) 構造プロセスを用いて設計されています.このユニークな統合により,低電圧MOSFETは市場で注目される.最高の性能を 提供し,それに匹敵するのは難しい. トレンチ低電圧MOSFETの特徴の一つは,トレンチプロセスの直接的な結果であるより小さなRSP (Rdson*Area) です.トレンチ技術により,よりコンパクトな細胞設計が可能になりますMOSFETの全体的なフットプリント... もっと見る
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中国 高効率 低電源損失 低電圧 MOSFET トレンチ/SGT プロセス 販売のため

高効率 低電源損失 低電圧 MOSFET トレンチ/SGT プロセス

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:低電圧 MOSFET トレンチ
製品説明:低電圧MOSFETは,現代電子機器における電力効率とエネルギー制御のますます高まる要求に応えるように設計された高効率で信頼性があり,汎用的な半導体装置です.最先端の溝とSGT (スーパーゲート溝) の構造工法この製品は,電力管理と電子スイッチアプリケーションの分野で顕著です. ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバー,電池,電池,電池,電池,電池,電池,電池,電池,電池,電池,電池,電池,電池,電池などDC/DC変換機高周波スイッチと同期直線 革新的な溝構造により オン状態の抵抗と電源損失を削減できます装置のスイッチング速度を増加させながら効率の高い電源や高速スイッチ機能を必要... もっと見る
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中国 高EAS能力 低Rds ((ON) トレンチプロセス MOSFET 同期直直直 販売のため

高EAS能力 低Rds ((ON) トレンチプロセス MOSFET 同期直直直

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:同期直直し溝プロセスのMOSFET
製品説明:低電圧MOSFETは半導体装置で,現代の電子回路の不可欠な部品となっています.高効率とパフォーマンスを維持しながら,低電力レベルで動作するように設計されています低電圧電源MOSFETは,低電耗が重要なアプリケーションのニーズに対応するために特別に作成されています.このMOSFETはエネルギーが最も効率的に利用されることを保証します電池駆動装置の寿命を延長する. 低電圧MOSFETの主要な属性の1つは,低Rds ((ON) と呼ばれる低オン状態抵抗である.Rds ((ON) パラメータは,MOSFETの効率を決定する重要な要因である.MOSFET が導力しているとき,熱として消耗され... もっと見る
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中国 ワイヤレス充電のための低電圧MOSFET 販売のため

ワイヤレス充電のための低電圧MOSFET

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ブランド: REASUNOS
ハイライト:高EAS能力のMOSFET, 無線充電低電圧MOSFET
製品説明:低電圧MOSFETは,高効率と信頼性を要求するアプリケーションのために設計された最先端の半導体装置です.MOSFET (金属-酸化-半導体フィールド効果トランジスタ) は,信号の切り替えと増幅に使用されていますこのモデルは低電圧操作に適しており,無線充電から自動車運転手まで,様々な用途に最適です. 低電圧MOSFETの特徴の一つは高効率である.最新のトレント/SGT (シールドドゲートトレント) 技術を活用した細心の構造プロセスによって達成されますこの先端技術により,オン状態の抵抗が大幅に減少し,動作中の電源損失を最小限に抑えることができます.これらのMOSFETを組み込んだ装置と... もっと見る
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中国 5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー 販売のため

5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:トレンチプロセスのモータードライバー
製品説明:低電圧MOSFETは,高効率で信頼性の高いアプリケーションにとって不可欠な利点の範囲を提供する現代電子設計の重要な部品です.洗練された トレンチ/SGT (シールドドゲート トレンチ) 構造プロセスを利用することでこのMOSFETは技術の最前線に立っており, 様々な要求の高い環境で 卓越したパフォーマンスを提供しています低電力消耗と高スイッチ周波数の両方を要求するアプリケーションに対応するように設計されています. 低電圧MOSFETの効率の核は低Rds ((ON) で,装置のオン抵抗である.このパラメータは,MOSFETの電源損失と熱性能に直接影響するので,非常に重要です. より低... もっと見る
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中国 5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー 販売のため

5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー

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ブランド: REASUNOS
ハイライト:トレンチプロセスのMOSFETモータードライバー, 低電圧MOSFET トレンチプロセス
製品説明:低電圧MOSFETは 現代の半導体技術の頂点です 電子部品の驚くべき進歩の証ですこのトランジスタは最先端のTrenchとSGT (シールドゲートトレンチ) プロセスの製品です電力管理アプリケーションの幅広い範囲に合わせて設計されています.低電圧MOSFETは,多くの電子機器の効率と性能に革命をもたらします. この低電圧トランジスタの優れた性能の中心は トレンチプロセス技術にあります この洗練された製造技術にはより小さい RSP (Rdson x Area) を含むRSP のこの最小化により,電力の損失が減少するだけでなく,デバイスの全体的な効率も向上します.トレンチプロセスは,シリ... もっと見る
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中国 5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー 販売のため

5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー

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ハイライト:トレンチプロセスの低電圧MOSFET, 高効率の低電圧MOSFET, 5Gベースステーション MOSFET
製品説明:低電圧MOSFETは,高効率,信頼性,低電力消費を必要とする様々なアプリケーションのために設計された最先端の半導体装置です.これは金属酸化半導体場効果トランジスタの略です電子信号の増幅または切り替えに使用されるトランジスタの一種である.この製品は,低電圧で動作するように特別に設計されています.エネルギー効率が極めて重要な現代電子機器の理想的な部品になります. 低電圧MOSFETの高効率の核心は,低Rds ((ON) です.この重要なパラメータは,MOSFETが電気を導いているとき,熱としてどれだけの電力が失われているかを決定しますRds ((ON) が低いほど,電力が無駄になり,装... もっと見る
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中国 5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー 販売のため

5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー

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ハイライト:高効率MOSFETモータードライバー
製品説明:低電圧MOSFETは,高効率と信頼性を要求するアプリケーションのために設計された最先端の半導体装置です.この製品は,低電力消費で業界に注目され,エンドユーザーにとって低電力損失をもたらします低電圧MOSFETは精密に設計され,洗練されたTrench/SGT (シールドドゲート・トレンチ) 構造プロセスを採用し,電力管理技術の新しい基準を設定しています. 低電圧MOSFETに組み込まれているTrench技術は,最も重要な利点の1つです.Trenchプロセスは,より小さなRDS (オン) を生成することが知られています.装置の排水と源端間のオン状態抵抗である.. RDS (オン) が小... もっと見る
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中国 5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー 販売のため

5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー

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ハイライト:高効率のモータードライバー, 低電圧MOSFETモータードライバー, 5Gベースステーションのモータードライバー
製品説明:低電圧MOSFETは 最先端の半導体装置で,現代の電子システムの要求を満たすために設計されています.先進的なトランッチおよびSGT (シールドドゲートトランジスタ) プロセスを利用するこの低電圧FETは 性能と効率の組み合わせを 提供しています特殊な特性により,自動車運転手を含む幅広い用途に理想的な選択となります5Gベースステーション,エネルギー貯蔵ソリューション,高周波スイッチ,同期直線,ワイヤレス・急速充電,DC/DC変換機 低電圧MOSFETの核心には,いくつかの重要な利点を提供するトレンチプロセス技術があります.このプロセスの主な利点は,大幅に小さいRds (ON) です.... もっと見る
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中国 電源システムLEDドライバの適用のための超高周波MOSFET 販売のため

電源システムLEDドライバの適用のための超高周波MOSFET

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ハイライト:電源システム MOSFET, LEDドライバーアプリケーション MOSFET
製品説明: 高電圧MOSFETは,新しいタイプの電源半導体装置である.超高電圧,高効率,低電阻の利点を提供しています.このMOSFETは FRD (フィールドリラックスダイオード) で埋め込まれていますこの装置は,新しい横向変数ドーピング技術を提供し,特殊な電源MOS構造と高温での優れた特性スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,LEDドライバー,アダプター,インバーター,その他の電気電力システムに広く使用されています.   技術パラメータ: 製品名 高電圧MOSFET 組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッ... もっと見る
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中国 高圧MOSFET LEDドライバーモーターシリーズ 販売のため

高圧MOSFET LEDドライバーモーターシリーズ

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ハイライト:高電圧MOSFETモーターシリーズ, 大熱消耗モスフェット, 高電圧MOSFET LEDドライバー
製品説明: 高電圧MOSFETは高温で優れた特性を持つ強力なスイッチ装置です新しい横向変数ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造があり,大きな熱散を可能にしますLEDドライバ,アダプタ,産業用スイッチ電源,インバーターなどに最適です.高電圧FET技術は信頼性と効率性があります電力電子システムに高性能を提供します.   技術パラメータ: 資産 価値 タイプ N 定位電圧 高電圧/超高電圧 組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど HV モスフェット 適用 LEDドライバー,アダプター,産業用... もっと見る
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中国 高電圧MOSFETトランジスタ 超高電圧技術 販売のため

高電圧MOSFETトランジスタ 超高電圧技術

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ブランド: REASUNOS
ハイライト:高電圧MOSFETトランジスタ
製品説明: 高電圧MOSFETは,FRD HV MOSFETアプリケーションが組み込まれている高電圧電力MOSFETである.低電阻と優れた熱散を特徴とするため,モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーション新しい横向変数ドーピング技術と特殊パワーMOS構造で設計されており,高温での優れた性能を保証します.   技術パラメータ: 製品名 高電圧MOSFET テクノロジー MOSFET タイプ N 定位電圧 高電圧/超高電圧 抵抗力 低オン抵抗 熱散 熱 の 散らばる 大量 漏れ 低漏れは1μA未満に達する 適用する スマートメーター,キャビネット電源,産業... もっと見る
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中国 超高周波MOSFETスマートメーター 応用 低漏れ 1 μ A 産業自動化 販売のため

超高周波MOSFETスマートメーター 応用 低漏れ 1 μ A 産業自動化

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
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ハイライト:スマートメーターアプリケーション MOSFET, 低漏れMOSFET, 産業自動化 MOSFET
製品説明: 高電圧MOSFETは,非常に高い電圧に対応するために特別に設計されたN型金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) の1種類である.最新のFRD HV MOSFET技術で組み込まれていますこのタイプのMOSFETは,高温と低流出で優れた特性を持っています.新しい横向変数ドーピング技術と特別なパワーMOS構造があります.超高電圧に耐えるし,漏れ率は1μA未満に達する. この高電圧MOSFETは,LEDドライバ,アダプター,産業用スイッチ電源,インバーターなどの幅広い用途に適しています.高温と低流出における優れた特性により,高性能アプリケーションのための理想的な選択になります... もっと見る
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中国 組み込み FRD 高電圧 MOSFET 産業用スイッチ電源のための新しい横向変数ドーピング技術 販売のため

組み込み FRD 高電圧 MOSFET 産業用スイッチ電源のための新しい横向変数ドーピング技術

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
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ハイライト:組み込まれた高電圧MOSFET, 組み込み FRD 高電圧 MOSFET
製品説明: 高電圧MOSFETは,超高電圧能力と優れた性能を持つ金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) の一種である.高電圧タイプNの製品名で,高電圧MOSFETは,特にモーターシリーズのために設計されていますインバーター,ハフブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション,LEDドライバ,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーター,スマートメーター,キャビネット電源,電源システム高電圧MOSFETは,優れた熱性能を確保するFRD HV MOSFET構造を備えています超低RDS(ON) 抵抗と高パルス電流の能力. また,優れたスイッチング性能,低EMI,低ゲート充電を提... もっと見る
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中国 超高周波MOSFET 優れた熱分散性を持つスマートメーターインバーター 販売のため

超高周波MOSFET 優れた熱分散性を持つスマートメーターインバーター

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ハイライト:スマートメーター インバーター MOSFET
製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧と低電阻の電源MOSFETである.モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション,スマートメーター,キャビネット電源熱消耗性が高く,超高電圧に耐える.高電圧および超高電圧アプリケーションの理想的な選択になります高圧MOSFETは,低電圧抵抗と高電圧評価により,信頼性と効率的なパフォーマンスを要求するアプリケーションに最適な選択肢です.   技術パラメータ: 製品名 高電圧MOSFET 利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性 抵抗力 低オン抵抗 HV モスフェット 適用 LEDドライバー... もっと見る
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中国 低流出率の高電圧MOSFET 新しい横向変数ドーピング技術 販売のため

低流出率の高電圧MOSFET 新しい横向変数ドーピング技術

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
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ハイライト:低漏れ高電圧MOSFET, 高圧MOSFET
製品説明: 高電圧MOSゲートトランジスタ (High Voltage MOS-Gate Transistors,HV MOSFETs) は,電気信号の切り替えに使用される半導体装置の一種である.LEDドライバなどの様々なアプリケーションで広く使用されていますHV MOSFET は高電圧と超高電圧の電圧評価を提供します.,さらに,電源抵抗が低いため,電流の精密な制御が必要なアプリケーションに最適です.   技術パラメータ: パラメータ 記述 テクノロジー MOSFET 定位電圧 高電圧/超高電圧 抵抗力 低オン抵抗 ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業... もっと見る
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中国 MOSFET 組み込み FRD HV 高電圧 FET などアプリケーション 販売のため

MOSFET 組み込み FRD HV 高電圧 FET などアプリケーション

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:HV 組み込み FRD MOSFET, 高電圧内蔵 FRD MOSFET, 応用 組み込み FRD MOSFET
製品説明: 高電圧MOSFETは超高電圧MOSFET技術の新しい世代で,新しい横向変数ドーピング技術の利点があります.特殊パワーMOS構造と高温での優れた特性自動車シリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション,LEDドライバ,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなどに広く適用されています.漏れが非常に少ない1 μA未満に達する可能性があります.   技術パラメータ: パラメータ 価値 抵抗力 低オン抵抗 漏れ 低漏れは1μA未満に達する ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど... もっと見る
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中国 大熱分散の産業用スイッチング電源のための高電圧MOSFET 販売のため

大熱分散の産業用スイッチング電源のための高電圧MOSFET

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:産業用スイッチ電源 MOSFET
製品説明: 高電圧MOSFET 高電圧MOSFETは,FRDHVMOSFETを組み込み,超高電圧評価と優れた熱消耗,低電圧抵抗とMOSFET技術を提供しています.このタイプのMOSFETはN型です.高電圧および/または超高電圧電源を必要とする様々な用途に適している. 高電圧MOSFETは高性能で 熱管理が高度で ショート回路に対する信頼性の高い保護を備えています特に電源が重要な用途に適しています高効率で低電力消費を可能に設計されているため 高電圧の評価を提供することに加えて,これらのMOSFETは低電源抵抗も提供しており,低温と高周波で動作することができます.この装置は,信頼性の高い電源を提... もっと見る
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中国 高温で優れた特性を持つ超高電圧MOSFET 販売のため

高温で優れた特性を持つ超高電圧MOSFET

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納期: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
ブランド: REASUNOS
ハイライト:高温高電圧MOSFET, 優れた特性 高電圧MOSFET, 優れた特性 MOSFET
製品説明: 高電圧 MOSFET: 頼れる トランジスタ 高電圧MOSFETは,超高電圧アプリケーションのために設計された高電圧電源モスフェットトランジスタである.高温環境で優れた性能を達成することを可能にする新しい横向変形ドーピング技術で装備されていますさらに,その特殊なパワー MOS 構造は,熱を散らす優れた能力を備えており,低電阻も備えています. 高電圧MOSFETは,スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチ電源,電源システムなどのさまざまなアプリケーションに理想的な選択です.トランジスタは,高電圧と高温環境で優れたパフォーマンスと信頼性を提供するように設計されています信頼性... もっと見る
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