インバーター IGBT

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モーター制御 穴式マウント IGBT インバーター 切り替え周波数 20KHz-60KHz

価格: According to your order requirement

MOQ: According to your order requirement

納期: According to your order requirement

ブランド: Lingxun

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ハイライト:穴を設置するIGBTインバーター, モーター制御 IGBT インバーター, IGBTインバーター 60KHz

  ホールマウントインバーターを通してモーター制御 IGBT 切り替える周波数 製品説明: インバーターIGBTは,20KHz-60KHzのスイッチング周波数範囲で,高周波アプリケーションに最適です.これはモータードライブやその他の高速アプリケーションで使用するのに理想的です.高電流の負荷に対応するように設計されています電気自動車やその他の高電力用途に最適です インバーター IGBT は TO-247 パッケージタイプで入手可能で,優れた熱性能と簡単に設置できます.空間が限られているアプリケーションで使用するのに理想的な選択です. 全体的に,インバーター IGBT は,モータードライブや新... もっと見る

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高功率 IGBT

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自動車用電子機器のための清潔な高電力IGBT高速スイッチング速度

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納期: According to your order requirement

ブランド: Lingxun

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ハイライト:自動車用電子機器 高功率IGBT, 清潔な高電力 IGBT, IGBT の高速スイッチング速度

自動車電子機器のための高速スイッチング速度を持つ清潔で安定した高電力IGBT 製品説明: 高性能IGBTの製品は メタルオキシド半導体場効果トランジスタ (MOSFET) と双極結合トランジスタ (BJT) の最高の品質の組み合わせです高効率で信頼性の高い装置です製品にはより高速なスイッチング速度も搭載されており,より効率的な電力管理を可能にし,消費電力を削減します.絶え間ない電源,太陽光インバーター,共鳴変換器,UPSは携帯電源発電所のエネルギー貯蔵を向上させるソーラーストリングインバーター 脱毛装置 閃光灯高電圧IGBT製品には IGBTスナバーコンデンサも搭載されており デバイスを電圧... もっと見る

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高い発電MOSFET

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30Vgs ストレージ ゲート ソース ストレージ DC モーターのための高電力 MOSFET

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ブランド: Lingxun

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ハイライト:30Vgs 高功率MOSFET, DCモーター高功率MOSFET, DCモーター N型MOSFET

30Vgs ストレージ ゲート ソース ストレージ DC モーターのための高電力 MOSFET   応用: 高電源MOSFETは,高電源処理,高周波電源インバーター,およびダブルチャネルMOSFETを必要とするさまざまな場合やシナリオで広く使用されています.モータードライブこの製品は高効率で信頼性があり,工業および商業用アプリケーションに理想的な選択となります.   サポートとサービス 高性能MOSFET製品では 優れた技術サポートとサービスを提供し 製品から最高の性能と信頼性を保証します専門家のチームは,製品選択のサポートを提供することができますまた,データシート,アプリケーションノート... もっと見る

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スーパージャンクション MOSFET

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充電堆のための高速スイッチングスーパージャンクションMOSFETクールモス

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ブランド: Lingxun

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ハイライト:Cool Mos Super Junction MOSFET, Charging Pile Super Junction MOSFET, Fast Switching Super Junction MOSFET

充電堆のための高速スイッチングスーパージャンクションMOSFETクールモス 製品説明: スーパー・ジャンクション MOSFETは高密度のスーパー・ジャンクション設計を特徴とし,オン・ステート効率のRdson,A性能がはるかに低いことを可能にします.MOSFETは高効率で動作できるさらにこのMOSFETは100%の雪崩テストを受けています高電圧のピークや他の電気的ストレスを耐えるようにする. N型MOSFETとして,スーパージャンクションMOSFETは,幅広いアプリケーションで優れたパフォーマンスを提供することができます.電気通信システムこのMOSFETは優れた選択です. 高性能,信頼性,効... もっと見る

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低電圧MOSFET

(84)

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15A 100V TO-252 パッケージ 電子設計のための低電圧モスフェット

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ブランド: Lingxun

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ハイライト:100V Low Voltage Mosfet, 15A Low Voltage Mosfet, Electronic Design Low Voltage Mosfet

15A100V 低RDS ON抵抗 電子設計用TO-252パッケージのシリコンモスフェット   部分番号 パッケージ 死ぬ チャンネル 私はD (A) VDSS (V) VGSS (V) VGS (th)(V) RDS ((ON)10V (mΩ) RDS ((ON)4.5V (mΩ) Qg(nC) シス(pF) ミン ミン ミン マックス タイプ マックス タイプ マックス タイプ タイプ LT15N10AD TO-252 1 N 15 100 ±20 1 2.5 88 110 95 140 - - 製品説明: このMOSFETは,低Rds ((ON)... もっと見る

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高圧MOSFET

(59)

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超低内抵抗 高電圧 MOSFET TO-220F 充電台用

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ブランド: Lingxun

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ハイライト:低内抵抗 高電圧MOSFET, 充電台 高電圧MOSFET, 高電圧MOSFET TO-220F

充電台用の超低内抵抗高電圧MOSFET   特徴 • ゲート 料金 の 低さ •チップ面積あたりRDS (オン) が低い (Low FOM) • 切り替えと伝導損失が非常に少ない • 非常高い変換耐久性   応用 • ソーラー インバーター • LCD/LED/PDPテレビ • 電気通信/サーバーの電源 • AC-DC 電源   サポートとサービス シリコンカービッド MOSFET 技術サポートとサービス 私たちの技術サポートとサービスチームは,あなたのシリコンカービッドMOSFET製品であなたを助けるためにここにあります.私たちはあなたのニーズを満たすために様々なリソースを提供し... もっと見る

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ショットキー バリア・ダイオード

(83)

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20A200V MBR20200CS TO-252 高周波スイッチ電源のためのショットキーバリアダイオード

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ブランド: Lingxun

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ハイライト:20A200V Schottky Barrier Diodes, High Frequency Schottky Barrier Diodes

20A200V MBR20200CS TO-252 高周波スイッチ電源のためのショットキーバリアダイオード   部分番号 パッケージ 死ぬ ロー(A) VBR VF ((25°C) IR ((25°C) VF ((125°C) IR(125°C) IFSM(A) Tj(°C) ミニ(V) もし(A) タイプ(V) マックス(V) タイプ(uA) マックス(uA) もし(A) タイプ(V) タイプ(mA) MBR10200CS TO-252 1 10 200 5 0.85 0.92 0.6 5 2 - - 130 150 製品説明: 低コストで 高品... もっと見る

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急速復元ダイオード

(52)

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16A200V 電子機器 電源のための高速回復ダイオード MUR1620DC

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ブランド: Lingxun

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ハイライト:16A200V 急速復元ダイオード, MUR1620DC 急速復元ダイオード, 電子機器 急速復元ダイオード

16A200V 電子機器 電源のための高速回復ダイオード MUR1620DC   部分番号 パッケージ 死ぬ ロー(A) VBR@IR VF ((25°C) IR ((25°C) VF ((125°C) IR(125°C) IFSM(A) トル Tj(°C) ミニ(V) もし(A) タイプ(V) マックス(V) タイプ(uA) マックス(uA) もし(A) タイプ(V) タイプ(mA) タイプ(nS) マックス(nS) MUR1620DC TO-263 1 16 200 8 0.92 0.98 0.01 1 - - - 160   35 150     製品説明: MUR Fast Rec... もっと見る

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低 VF ショットキー

(68)

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40A45V SBT40L45CT 前向き低電圧 TO-220AB 高電流容量

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ブランド: Lingxun

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ハイライト:高電流容量 SBT40L45CT, 低前電圧 SBT40L45CT, 40A45V SBT40L45CT

40A45V SBT40L45CT 前向き低電圧 TO-220AB 高電流容量     部分番号 パッケージ 死ぬ ロー(A) VBR@IR VF ((25°C)@IF IR ((25°C)@VBR VF ((125°C)@IF IR(125°C) IFSM(A) Tj(°C) ミニ(V) IF について(A) タイプ(V) マックス(V) タイプ(uA) マックス(uA) IF について(A) タイプ(V) タイプ(mA) SBT40L45CT TO-220AB 2 40 45 1020 0.410.49 0.440.53 55 170 1020 0.350.46 12 250 150 ... もっと見る

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高功率半導体

(28)

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高温耐性,低漏れ,低接続容量を持つパワーMOSFET

価格: According to your order requirement

MOQ: According to your order requirement

納期: According to your order requirement

ブランド: Lingxun

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ハイライト:Low Leakage Power MOSFET, High Temperature Resistance Power MOSFET, Low Junction Capacitance Power MOSFET

製品説明: 高効率は高電力電子システムの重要な特性であり 私たちの製品はそれを提供するように設計されています システムが最小限のエネルギー損失で最適に動作することを保証しますエネルギーコストの削減に繋がりますこの製品の高効率性により,より長い距離を走るのに最大限のエネルギー利用を必要とする電気自動車にとって理想的な選択となります. 低流出特性により 低電力半導体製品が 最小の電力損失で動作しますエネルギー損失がシステムの非効率性やパフォーマンス問題につながる場合私たちの製品は漏れを減らすように設計され システムが最適に機能することを保証します N型属性により 高電力半導体製品が 高電圧や電... もっと見る

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炭化ケイ素MOSFET

(21)

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シリコンカービッドMOSFETのRDSが低い

価格: According to your order requirement

MOQ: According to your order requirement

納期: According to your order requirement

ブランド: Lingxun

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ハイライト:シリコンカービッドMOSFETの低RDS, モータードライバー シリコンカービッド MOSFET, 多目的シックパワーモスフェット

シリコンカービッドMOSFETのRDSが低い   特徴 ●高電圧電流能力 ■ 逆回収なし 陽性温度係数 · 簡単に並行できる · ハロゲン無/RoHS対応   典型的な用途 ソーラーインバーター · 功率因子調整 ■データセンター 切り替えるモードの電源   利益 · 高速切換 · 低温消耗要求 ■ システムの規模とコストを削減 · 高い信頼性 ■ システム効率の向上   サポートとサービス シリコンカービッド MOSFET 技術サポートとサービス 私たちの技術サポートとサービスチームは,あなたのシリコンカービッドMOSFET製品であなたを助けるためにここにあります.私たちはあなたのニーズ... もっと見る

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シリコンカービッドSBD

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空調装置のための小容量SiCショットキー直導二極管

価格: Confirm price based on part number

MOQ: Confirm quantity based on part number

納期: comfirm

ブランド: Lingxun

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ハイライト:SiC Schottky Rectifier Diode, Air Conditioner Schottky Rectifier Diode, Small Volume Schottky Rectifier Diode

Small Volume SiC Schottky Rectifier Diode For Air Conditioner Product Description: Compared to other power devices, this Silicon Carbide SBD is designed to operate at higher temperatures without compromising performance, making it ideal for use in harsh environments. Its high temperature resistance ... もっと見る

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