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RFトランジスタ

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中国 FDV303N デジタルFET Nチャンネル半RFトランジスタ 販売のため

FDV303N デジタルFET Nチャンネル半RFトランジスタ

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MOQ: 1
納期: 1day
ブランド: Onsemi
ハイライト:FDV303N, Digital FET N-Channel Onsemi, Digital RF Transistors
FDV303N Digital FET N-Channel Onsemi もっと見る
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中国 JAN2N2222A マイクロチップ マイクロセミ双極トランジスタ BJT BJT RFトランジスタ 販売のため

JAN2N2222A マイクロチップ マイクロセミ双極トランジスタ BJT BJT RFトランジスタ

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MOQ: 1pcs
納期: 1day
ブランド: Microchip / Microsemi
ハイライト:JAN2N2222A, Microsemi Bipolar Transistors, BJT RF Transistors
JAN2N2222A Microchip / Microsemi Bipolar Transistors - BJT BJTs Collector- Base Voltage VCBO: 75 V Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V Maximum DC Collector Current: 800 mA Pd - Power Dissipation: 500 mW Gain Bandwidth Product fT: - Minimum Operating Temperature:... もっと見る
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中国 2SC5200-O(Q) 双極 (BJT) トランジスタ NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W 穴を通って TO-3P ((L) 販売のため

2SC5200-O(Q) 双極 (BJT) トランジスタ NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W 穴を通って TO-3P ((L)

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MOQ: 1pcs
納期: 1day
ブランド: Toshiba
2SC5200-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole Manufacturer: Toshiba Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Transistor Polarity: NPN Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 230 V... もっと見る
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中国 BLF177 MRF150 RF MOSFET トランジスタ 5-150MHz 150Watt 50Volt 増幅 17dB 販売のため

BLF177 MRF150 RF MOSFET トランジスタ 5-150MHz 150Watt 50Volt 増幅 17dB

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MOQ: 1pcs
納期: 1-2days
ブランド: MACOM
ハイライト:BLF177 MRF150, RF MOSFET Transistors 5-150MHz, MOSFET Transistors 150Watts
Manufacturer: MACOM Product Category: RF MOSFET Transistors RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel Technology: Si Id - Continuous Drain Current: 16 A Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 125 V Rds On - Drain-Source Resistance: - Operating Frequency: 150 MHz Gain: 17 dB Output Power: 150 W Min... もっと見る
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中国 IRF1407PBF   N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB RF Transistors 販売のため

IRF1407PBF N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB RF Transistors

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MOQ: 1pcs
納期: Negotiable
IRF1407PBF N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB RF Transistors Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFETs RoHS: - REACH - SVHC: - Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-So... もっと見る
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中国 BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ 高功率RFトランジスタ 販売のため

BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ 高功率RFトランジスタ

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MOQ: 1pcs
納期: 1day
ブランド: Diodes Incorporated
BS816A-1 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR RF Transistors Manufacturer: DIODES Product Category: P-CHANNEL ENHANCEMENT RoHS: Details Mounting Style: - Package / Case: 16NSOP Packaging: Standard Unit Weight: - oz This transistor is suitable for RF power amplifiers in various applications suc... もっと見る
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中国 ZTX951STZ 双極トランジスタIC BJT PNP ビッグチップ SELine 販売のため

ZTX951STZ 双極トランジスタIC BJT PNP ビッグチップ SELine

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MOQ: 1pcs
納期: 1day
ブランド: Diodes Incorporated
ハイライト:ZTX951STZ, ZTX951STZ Bipolar Transistor IC
ZTX951STZ Bipolar Transistors BJT PNP Big Chip SELine Product Attribute Attribute Value Manufacturer: Diodes Incorporated Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-92-3 Transistor Polarity: PNP Configuration: Single Collector- Emitter V... もっと見る
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中国 J201 JFET Nチャネルトランジスタ 一般用途 高功率RFトランジスタ 販売のため

J201 JFET Nチャネルトランジスタ 一般用途 高功率RFトランジスタ

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MOQ: 1pcs
納期: 1day
ブランド: InterFET
J201 JFET N-Channel Transistor General Purpose high power rf transistors Manufacturer: Fairchild Product Category: JFET RoHS: Details Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-92 Transistor Polarity: N-Channel Configuration: Single Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 40 V Gat... もっと見る
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中国 2SA1943-O ((Q) 双極 (BJT) トランジスタ PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W 穴を通って TO-3P ((L) 販売のため

2SA1943-O ((Q) 双極 (BJT) トランジスタ PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W 穴を通って TO-3P ((L)

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MOQ: 1pcs
納期: 1day
ブランド: Toshiba
2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole Manufacturer: Toshiba Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Transistor Polarity: PNP Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 230 V... もっと見る
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中国 ZXTN25100BFHTA 双極トランジスタ NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W RFトランジスタ 販売のため

ZXTN25100BFHTA 双極トランジスタ NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W RFトランジスタ

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MOQ: 1pcs
納期: 1day
ブランド: Diodes Incorporated
ZXTN25100BFHTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W Surface Mount Manufacturer: Diodes Incorporated Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23-3 Transistor Polarity: NPN Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCE... もっと見る
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中国 VOS617A-4T オプチオイソレータートランジスタ 出力 3750Vrms 1チャネル 高電力RFトランジスタ 販売のため

VOS617A-4T オプチオイソレータートランジスタ 出力 3750Vrms 1チャネル 高電力RFトランジスタ

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MOQ: 1pcs
納期: 1day
ブランド: Vishay
VOS617A-4T Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP Manufacturer: Vishay Product Category: Transistor Output Optocouplers RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SSOP-4 Number of Channels: 1 Channel Isolation Voltage: 3750 Vrms Output Type: NPN Phototransistor Current T... もっと見る
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