サファイアの基質

(85)

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Epi -準備ができたDSP SSPのサファイアの基質のウエファー4inch 6inch 8inch 12inch

価格: by size

MOQ: 10pcs

納期: 2-4 weeks

ブランド: ZMKJ

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ハイライト:DSP SSPのサファイアの基質, 12inchサファイアのウエファー, 単結晶のサファイアの基質のウエファー

    4 インチ 6 インチ 8 インチ 12 インチ サファイア ウェーハ エピレディ プライム グレード DSP SSP サファイア基板8 インチ 200 ミリメートル超薄型サファイアウェハ 0.1 ミリメートル-50 ミリメートル厚さ C 面 DSP サファイアウェハ     製品説明   材質 サファイア(Al2O3) 密度(20℃) Kg/M3 3.98×103 結晶構造は六方晶系 結晶格子定数 A=4.785Å C=12.991Å モース硬度 9 融点 2045℃ 沸点3000℃ 熱膨張係数Α＝5.8×10 -6 /K 比熱0.418WS/G/... もっと見る

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添加されたサファイア ガラス

(37)

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Al2o3総合的なルビーは光学青いサファイア ガラスの青いサファイアの窓のためのチタニウムの添加されたサファイアを着色した

価格: by case

MOQ: 3pcs

納期: 2-4weeks

ブランド: zmkj

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ハイライト:Al2o3チタニウムの添加されたサファイア, 総合的なチタニウムの添加されたサファイア, Al2o3チタニウムの添加されたサファイア

  時計ケースの/watchレンズの総合的なルビー色の着色されたサファイア レンズの青い黄色緑のサファイア ガラスのための多彩なサファイア ガラス レンズ ルビー色のガラス板 青い色の光学のための合成物質によって着色される添加されたサファイア ガラスのブロック レンズ    Scitlionは提供できる0.06%から0.26%までCr3+のdopandの集中（atm%）2mmから100mmまで棒径2mmから100mmまで長さあなたの要求にコーティング   ultrashort脈拍の生成のためのØのベスト材料 600-1100nmからのØの調整可能な範囲 高利得Ø ... もっと見る

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サファイア光学Windows

(85)

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ファンの定形セクターのサファイア レンズの光学窓ガラス6.25mmの厚さ9.0の硬度

価格: by case

MOQ: 3pcs

納期: 3-4weeks

ブランド: zmkj

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ハイライト:光学窓ガラス, サファイア ガラス ガラス

  fanshapedサファイアの光学ガラスの窓、窓、サファイアの光学ガラスのウエファーのためのセクターAl2O3のサファイア レンズ   サファイアの利点は何ですか。   ①の-薄く、強くより標準的なガラスWindows② -特徴の極度な表面の硬度および化学抵抗 ③ -紫外線及ぶ波長をから中間赤外線に送信します サファイアWindowsは極度な表面の硬度のためにそれらデマンドが高い適用のための理想を（レーザー システムのような）、共通の化学酸およびアルカリへの高い熱伝導性する、単結晶のサファイアから製造された高い比誘電率および抵抗にです。サファイアはダイヤモンドの隣に第2最も堅... もっと見る

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炭化ケイ素のウエファー

(96)

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6Inch Dia153mm 0.5mmモノクリスタルSiCの炭化ケイ素の水晶種のウエファーかインゴット

価格: by case

MOQ: 1pcs

納期: 1-6weeks

ブランド: ZMKJ

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ハイライト:SiCの炭化ケイ素のウエファー, 6インチの炭化ケイ素のウエファー, SiCの単結晶の種のウエファー

  2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia 150mmの炭化ケイ素の単結晶（sic）の基質のウエファー、 sicの水晶インゴットsicの半導体の基質、炭化ケイ素水晶Wafer/6inch dia153mm SiCの炭化ケイ素のWaferCrystalの種のインゴット種のウエファー 炭化ケイ素（SiC）の水晶について   炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.... もっと見る

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サファイアの管

(57)

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ポリッシュした透明サファイアチューブKY方法 サイズ: オーダーメイド 高硬さ 高耐磨性

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: Negotiable

ブランド: ZMSH

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ハイライト:耐磨性が高いサファイアチューブ, 透明なサファイア管を磨いた, 高硬さサファイア管

サファイアチューブ ポリッシュ 透明なサファイアチューブ KY 方法 オーダーメイド サイズ 高硬さ 高耐磨性     製品概要   KY方法で製造された我々のサファイア管は,顧客が要求するニーズと仕様に従って製造され,さまざまな要求を満たすことができます.   モース9の硬さ0砂利管は耐磨性があり 高温や耐磨環境でも使えます耐磨性も 擦り傷性も 維持する.   卓越した機械的および化学的特性を持つため,私たちのサファイア管は高温環境でも安定した性能を持っています.彼らは酸やアルカリの腐食に抵抗することができます.   広く光学機器,化学処理機器,医療機器,および他の分野で使用されます. 私た... もっと見る

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ガリウム窒化物のウエファー

(25)

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オリエンテーション111 100 SSP DSP 高純度INP半導体ウエファー 6'4'INPウエファー

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: 2-4weeks

ブランド: ZMSH

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ハイライト:SSP インディウム・フォスフィード・ウェーファー, 高純度INP半導体ウェーファー, 4''インP・ウェーフ

製品説明: 私たちのインピ(インディウム リン酸) 半導体 ウェーバー は,例外 的 な 電子 及び 光 電子 特性 で 知ら れ て い ます.通信,光学,電子 機器 に は 広く 応用 さ れ て い ます.先進的な成長と加工技術を利用する高級アプリケーションの厳格な要件を満たすため,優れた電子移動性と低欠陥密度を提供します.2 から 4 インチ の 直径 で 入手 でき ます厚さや表面の粗さも 顧客のニーズに応じて調整できます顧客の期待に応えるように,あらゆるウェファーを提供します.高速光ファイバー通信部品の製造に使用されるか,太陽電池やセンサーの基板として使用されるか,インピワッフル... もっと見る

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半導体の基質

(99)

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6インチNのタイプはシリコンの薄片DSP SiO2のケイ素酸化物のウエファーを磨いた

価格: by quantites

MOQ: 25pcs

納期: 1-4weeks

ブランド: ZMSH

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ハイライト:Nのタイプ磨かれたシリコンの薄片, SiO2ケイ素酸化物のウエファー, DSPはシリコンの薄片を磨いた

    6inch 8inch 2inch 1inch FZ CZのNタイプの磨かれたシリコンの薄片DSP SiO2のウエファーのケイ素酸化物のウエファー      磨かれたシリコンの薄片の高純度の（11N） 1-12インチのCzochralskiの単一および二重磨かれたウエファーサイズ1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12"および特別なサイズおよび指定のウエファー表面の単一の磨くディスク、二重磨くディスク、研摩ディスク、ディスクを切る腐食ディスクさまざまな以外角度 <100> <111> <110> <211> <511... もっと見る

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科学的な実験装置

(43)

- visits

シリコン・C・シングルクリスタル成長炉 6インチ,8インチクリスタル用 PVT,レリー,TSSG方法

価格: Negotiable

MOQ: 1

納期: 6-8moth

ブランド: ZMSH

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ハイライト:8インチSiCインゴット成長炉, 6インチ SiCインゴット成長炉, PVT SiCインゴット成長炉

高効率の4インチ,6インチおよび8インチ結晶のためのSiCインゴット成長炉 PVT,Lely,およびTSSG方法を使用する     SiCインゴット成長炉の要約   SiCインゴット成長炉は,効率的なシリコンカービッド結晶の成長のために,グラフィット抵抗加熱を使用します. 80kWの定量電源で最大温度は2300°Cに達できます.オーブンはサイクルあたり 3500kW·hから 4500kW·hの消費量を消費する.結晶の成長期間は5~7日. サイズは2150mm x 1600mm x 2850mmで,冷却水流量は6m3/hです.アルゴンと窒素ガスで真空環境で動作する安定した性能と信頼性の高い出力を... もっと見る

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総合的な宝石

(43)

- visits

Ce+ドーピングされたYAGレーザー結晶 Ce YAG基板インゴット セリウムドーピング

価格: Negotiable

MOQ: 500g

納期: two weeks

ブランド: ZMSH

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ハイライト:CE YAG基板インゴット, Ce+ドーピング YAGレーザークリスタル, YAG基板, セリウムドーピング

製品説明: Ce:YAGシングルクリスタルは,光発射中心波長550nmの高性能点滅結晶である.高光出量 (9000光子/MeV) と高速崩壊時間 (75ns) を提供する.シリコン光二極管のような検出装置と効果的に結合できますさらに,高温耐性があり,熱力学的に安定しているため,極端な検出環境に適しています.   Ce:YAGシングルクリスタルは,優れた性能を持つ包括的なスチンチレーション材料である.高光出力 (20000フォトン/MeV),急速な光放出崩壊 (70ns),優れた熱機械特性, 光倍数管 (PMT) とシリコン光二極管 (PD) の敏感な波長とよく一致するピーク光発射波長 (54... もっと見る

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サファイア ガラスの時計ケース

(19)

- visits

39/40/45のmm軸線のサファイア ガラスの文字板、水晶文字板の荒い版

価格: 5-15usd/pcs

MOQ: 50pcs

納期: 1-4weeks

ブランド: ZMKJ

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ハイライト:サファイア ガラスの文字板, 傷の証拠の時計ガラス

  腕時計のガラス サファイアの時計ガラスのためのDia30mm/33.5mm/34mm/37mm/39mm/40mm/45mmの軸線のサファイアの荒い版    サファイアの腕時計のガラスはサファイア ガラスを使用して製造される腕時計スクリーンです。サファイアは抵抗が使用された原因および靭性、また審美的な出現です。 サファイアはダイヤモンドへ二番目にだけMohsのミネラル硬度のスケールの第2最も強い宝石、です。水晶は通常サファイア水晶組合せより構成されています。スクリーンはダイヤモンド以外のほとんど何も表面を傷付けられないことを強さが硬度と異なっているが、意味するので完全に粉砕証拠では... もっと見る

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ウエファーのキャリア箱

(13)

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正方形のウエファーの基質のための2inch 3inch 4inch PPのウエファーのキャリア箱

価格: by case

MOQ: 10pcs

納期: 2-3weeks

ブランド: zmkj

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ハイライト:4inchウエファーのキャリア箱, PPのウエファー フレーム カセット, 正方形のウエファーのキャリア箱

ウエファーの基質のための2inch 3inch 4inchの正方形カセット キャリア箱 2~4~8"直径の単一のウエファー/25pcsキャリア箱- Container/4inchの正方形のウエファー カセット箱を含む…   このウエファーの容器は4"のために直径のウエファー設計されている。それは出荷し、貯えることの間に損傷および汚染から精密ウエファーか基質を防ぐことができる。 付加的な利点はきれいになり、集まっていることの過程においてかなり便利である。 各々の大ぞろいは下記のものを含んでいる:容器、カバーおよびばね ウエファーの容器は1000のクラスのクリーン ルームおよびポリ袋で... もっと見る

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超伝導の薄いモノクリスタル基質

(13)

- visits

0.5mmのLaAlO3水晶ウエファーのラオス人の単結晶の基質

価格: by case

MOQ: 10pcs

納期: 2-4weeks

ブランド: zmkj

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ハイライト:0.5mmのLaAlO3水晶, 0.5mmのLaAlO3ウエファー, DSP LaAlO3の単結晶

10x10x0.5mmtTantalumのランタンのストロンチウムのアルミン酸塩（最後）水晶の水晶基質wafer/LAST （LaAlO3） 0.3 （Sr2AlTaO8） 0.7の単結晶のモノクリスタルの基質    薄膜の基質 ランタンのアルミン酸塩（LaAlO3）単結晶は現在最も重要な工業化された、大型の高温超伝導の薄膜の基質の単結晶材料である。それはCzochralski方法によって育ち、2インチの直径が付いている単結晶そして基質はおよびより大きい得ることができる。それにYBaCuOのような高温超伝導材料とのよい一致がおよび格子、低い比誘電率および低いマイクロウェーブ損失ある、従っ... もっと見る

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陶器部品

(7)

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SiCセラミック・トレイ・プレート・ウェーファーホルダー

価格: undetermined

MOQ: 25

納期: 2-4weeks

ブランド: ZMSH

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ハイライト:ICP エッチング プロセス セラミック トレイ, エピタキシアル成長処理セラミックトレイ, エピタキシアル成長処理セラミックプレート

ICPエッチングプロセスのためのSiCセラミックトレイ/プレート/ウェーファーホルダー     SiC (シリコンカービッド) セラミックトレイの概要     シリコンカーバイド (SiC) 陶器用トレイは耐久性,高温安定性,優れた熱伝導性を要求する産業で広く使用される高性能材料です.高い硬さで知られています耐磨性,化学的惰性,熱衝撃耐性,半導体製造,材料処理,高温プロセスなどの要求の高いアプリケーションに理想的です.このトレイは特に半導体製造プロセス,例えばICP (インダクティブ・カップルプラズマ) 蚀刻や表軸成長に使用するのに適しています精密な温度制御と材料の整合性が重要な場合.   ... もっと見る

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