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フラッシュ・メモリの破片
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THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵
価格: Negotiation
MOQ: 1 piece
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリ IC の破片
Flash Memory Chip, THGBM5G5A1JBA1R Memory BGA-153 4GB Nand flash New &original Storage Description: 24nm 128G THGBM4TODBGAIJ 64G THGBM4G9D8GBAII 32G THGBM4G8D4GBAIE 16G THGBM4G7D2GBAIE 8G THGBM4G6D2GBAIR 4G THGBM4G5D1HBAIR 2G THGBM4G4D1HBAIR 19NM 16G THGBM6G7T2JBAIM PRIME 8G THGBM6G6T1JBAIR 32G ... もっと見る
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Th58teg9ddkba8h 64gb否定論履積のフラッシュ・メモリの破片Bga132の貯蔵2.5のインチ7mm
価格: Negotiation
MOQ: 1 piece
納期: 3-5 work days
ハイライト:フラッシュ・メモリ IC の破片, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memory Chip TH58TEG9DDKBA8H , 64G Nand BGA132 STORAGE Item Numbe: TH58TEG9DDKBA8H Manufacture: Toshiba Products Category: Memory & Flash Memory Form Factor: 2.5 Inch Heigh: 7mm Memory Type: FLASH - NAND (TLC) Memory Size: 2TB Dimensions: 100.45mm X 69.85mm X 7.00mm もっと見る
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W631gg6kb-12 ICのドラムの安全な平行フラッシュ・メモリのコントローラ チップ1g 96wbga
価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリ IC の破片
Flash Memory Chip W631GG6KB-12 , IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin WBGA Product Technical Specifications EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 DRAM Type DDR3 SDRAM Chip Density (bit) 1G Organization 64Mx16 Number of Internal Banks 8 Number of Words per Bank 8M Numb... もっと見る
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TC58BYG1S3HBAI6高容量のフラッシュ・メモリの破片、2gb否定論履積のフラッシュ ドライブ67VFBGA
価格: Negotiation
MOQ: 1 piece
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリ IC の破片
Flash Memory Chip TC58BYG1S3HBAI6 IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA he TC58BYG1S3HBAI6 is a single 1.8V 2 Gbit (2,214,592,512 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048 + 64) bytes × 64 pages × 2048blocks. The device has a 2112-byte static register... もっと見る
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HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60
価格: Negotiation
MOQ: 1260PCS/BOX
納期: 3-5 work days
ハイライト:フラッシュ・メモリ IC の破片, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memory Chip HY5PS1G831CFP-S6 DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 Features VDD = 1.8 +/- 0.1V•VDDQ = 1.8 +/- 0.1V All inputs and outputs are compatible with SSTL_18 interface 8 banks Fully differential clock inputs (CK, /CK) operation Double data rate interface Source synchronous-data transac... もっと見る
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MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND ICのRAMの高速フラッシュ・メモリの破片2Gの平行166MHZ
価格: Negotiation
MOQ: 1000PCS
納期: 3-5 work days
ハイライト:フラッシュ・メモリ IC の破片, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memory Chip MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC FLASH RAM 2G PARALLEL 166MHZ Part MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Category Integrated Circuits (ICs) Title Memory Integrated Circuit (ics) FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Tray 1.7 V ~ 1.95 V Description Company Micron Technology, Inc Specifications Memory Type FLASH - ... もっと見る
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W9751G6KB-25 ICのドラムの平行のマイクロチップのフラッシュ・メモリ512Mbの企業84WBGA 400MHz
価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリ IC の破片
Flash Memory Chip W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Product Technical Specifications EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 DRAM Type DDR2 SDRAM Chip Density (bit) 512M Organization 32Mx16 Number of Internal Banks 4 Number of Words per Bank 8M Number of Bits/Word (bit) 16 Data Bus Width (bit) 16 ... もっと見る
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Mt29f2g08abaeah4それE IC 2gbの平行否定論履積のフラッシュ・メモリ63vfbga 2.7 V | 3.6ボルト
価格: Negotiation
MOQ: 1260PCS/BOX
納期: 3-5 work days
ハイライト:フラッシュ・メモリ IC の破片, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memory Chip MX30LF1208AA-XKI IC NAND FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Product Technical Specifications EU RoHS Compliant ECCN (US) 3A991.b.1.a Cell Type SLC NAND Chip Density (bit) 2G Architecture Sectored Boot Block Yes Block Organization Symmetrical Address Bus Width (bit) 29 Sector Size 128Kbyte... もっと見る
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埋め込まれたシステム84TFBGAのW9712G6KB-25 ICのドラム128mb否定論履積のフラッシュ・メモリの保証
価格: Negotiation
MOQ: 1 packager
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリ IC の破片
Flash Memory Chip W9712G6KB-25, IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA Product Technical Specifications EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 DRAM Type DDR2 SDRAM Chip Density (bit) 128M Organization 8Mx16 Number of Internal Banks 4 Number of Words per Bank 2M Number of Bits/Word (bit) 16 Data Bus Width (bit) 16... もっと見る
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MX30LF2G18AC-XKI ICの平行否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリの証券業界2g 63vfbga
価格: Negotiation
MOQ: 1 piece
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリ IC の破片
Flash Memory Chip MX30LF2G18AC-XKI IC Nand Flash 2G PARALLEL 63VFBGA MX30LFx Series 2 Gb (256 M x 8) 3.6 V Surface Mount NAND Flash Memory -VFBGA-63 Mfr Part#: MX30LF2G18AC-XKI Mounting Method: Surface Mount Package Style: VFBGA-63 Packaging: TRAY Std Packaging Qty: 220 Memory Density: 2 Gb Memory O... もっと見る
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W9725G6JB25I-NDのフラッシュ・メモリの破片、ICのドラム256mb否定論履積の抜け目がない平行84WBGA
価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memory Chip W9725G6JB25I-ND,IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Basic Features Type DDR2 SDRAM Organisation x16 Speed 400 MHz Voltage 1.8 V Package WBGA-84 Description: The W9725G6JB is a 256M bits DDR2 SDRAM, organized as 4,194,304 words x 4 banks x 16 bits. This device achieves high speed transfer... もっと見る
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K4W4G1646E-BC1A 4Gのフラッシュ・メモリの破片、写実的な否定論履積のフラッシュ モジュールGDDR3 256Mx16
価格: Negotiation
MOQ: 1 pieces
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memorry Chip K4W4G1646E-BC1A , Graphic memory GDDR3 256Mx16 4G Category DRAM Class Graphic DDR Description GDDR3 256Mx16 Part No. K4W4G1646E-BC1A Brand Samsung もっと見る
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MX30LF1208AA-XKI IC取り外し可能な512mb否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールの平行63vfbga
価格: Negotiation
MOQ: 1 piece
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ、フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memory Chip MX30LF1208AA-XKI IC NAND FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Basic Description: MX30LF Series 3.6 V 512 Mbit (64 M x 8 bit) NAND Flash Memory - VFBGA-63 Mfr Part#: MX30LF1208AA-XKI Mounting Method: Surface Mount Package Style: VFBGA-63 Packaging: TRAY Std Packaging Qty: 550 Product Highlig... もっと見る
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K9F5608UOD-PCBO否定論履積のフラッシュのコントローラ チップ32M x 8ビット16M x 16ビット否定論履積フラッシュ・メモリ
価格: Negotiation
MOQ: 1 pieces
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memorry Chip K9F5608UOD-PCBO 32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory Feature: もっと見る
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TC58NVG0S3HBAI4フラッシュ・メモリの破片、ICの抜け目がない貯蔵の破片1Gの平行63TFBGA
価格: Negotiation
MOQ: 1 piece
納期: 3-5 work days
ハイライト:フラッシュ・メモリ IC の破片, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memory Chip TC58NVG0S3HBAI4 IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA Categories Integrated Circuits (ICs) Memory Manufacturer Toshiba Memory America, Inc. Series - Packaging Tray Part Status Active Memory Type Non-Volatile Memory Format FLASH Technology FLASH - NAND (SLC) Memory Size 1Gb (128M x 8) Write ... もっと見る
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低い電力のフラッシュ・メモリICの破片64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2
価格: Negotiation
MOQ: 1 packager
納期: 3-5 work days
ハイライト:否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ, フラッシュ・メモリのコントローラ チップ
Flash Memory Chip W971GG6JB-18 , IC SDRAM DDR2 64Mx16 Memory chip BGA84 Features Type DDR2 SDRAM Organisation x16 Speed 1066 MT/s Voltage 1.8 V Package WBGA-84 The W971GG6JB is a 1G bits DDR2 SDRAM, organized as 8,388,608 words x 8 banks x 16 bits. This device achieves high speed transfer rates up t... もっと見る
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