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ドラムのメモリー チップ

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中国 サムスンGDDR5 256Kx32-25 K4G80325FB-HC25 BGAのコンピュータ・メモリは8GB速度を欠きます 販売のため

サムスンGDDR5 256Kx32-25 K4G80325FB-HC25 BGAのコンピュータ・メモリは8GB速度を欠きます

価格: Negotiation
MOQ: 100PCS
納期: Negotiable
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
Samsung GDDR5 256Kx32-25 (K4G80325FB-HC25) BGA MEMORY CHIP Samsung GDDR5 sets the standard in achieving vibrant power-efficient performance in VGA cards, game consoles and high performance computing (HPC). Item Details: Specifications Density 8Gb Org. 256M x 32 Speed 8.0 Gbps Refresh 16K / 32 ms Pac... もっと見る
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中国 8G Denistyのドラムのコンピュータ・チップSKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2Cの長い寿命 販売のため

8G Denistyのドラムのコンピュータ・チップSKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2Cの長い寿命

価格: Nigotiation
MOQ: 100pcs
納期: Negotiable
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C 256*32 memory chip Product Specifications: Part No. Den. Org. Vol Ref. Speed Power PKG Product Status H5GC4H24AJR 4Gb x32 1.35V/1.5V 16K Ref. R0C/T2C Normal Power FCBGA Mass production H5GQ4H24AJR 4Gb x32 1.55V/1.35V 16K Ref. R4C Normal Power FCBGA Mass production... もっと見る
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中国 7.0 Gbpsのドラムのメモリー チップK4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28 BGA 8G密度を促進して下さい 販売のため

7.0 Gbpsのドラムのメモリー チップK4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28 BGA 8G密度を促進して下さい

価格: Negotination
MOQ: 100PCS
納期: Negotiable
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28, BGA MEMORY CHIP Samsung GDDR5 swiftly achieves video and 3D graphics-intensive performance, with a data rate nearly three times faster than GDDR3. Specifications Density 8Gb Org. 256M x 32 Speed 7.0 Gbps Refresh 16K / 32 ms Package 170FBGA Product Status Mass Produc... もっと見る
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中国 H5TC4G63CFR - PBAR DDR3のドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96のドラム モジュール 販売のため

H5TC4G63CFR - PBAR DDR3のドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96のドラム モジュール

価格: Negotiation
MOQ: one package
納期: Negotiable
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 DRAM Memory ( 256MX16, CMOS, PBGA96) The parts are a 4Gb low power Double Data Rate III (DDR3L) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density, high bandwidth and low power operation at 1.35V. SK Hynix DDR3L SDRAM provides ... もっと見る
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中国 K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5のメモリー チップFBGA170 販売のため

K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5のメモリー チップFBGA170

価格: Negotiation
MOQ: 1pacakge
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5 Memory chip BGA170 Package Performance Parameters: もっと見る
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中国 HY5DU561622FTP-5ドラムのメモリー チップSDRAMの記憶256 Mbitの表面の台紙200MHz 2.4 - 2.7 V 販売のため

HY5DU561622FTP-5ドラムのメモリー チップSDRAMの記憶256 Mbitの表面の台紙200MHz 2.4 - 2.7 V

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
HY5DU561622FTP-5 DRAM Memory Chip SDRAM Memory 256Mbit Surface Mount, 200MHz, 2.4 → 2.7 V Attribute Value Memory Size 256Mbit Organisation 16M x 16 bit Data Rate 200MHz Data Bus Width 16bit Number of Bits per Word 16bit Number of Words 16M Mounting Type Surface Mount Package Type TSOP Pin Count 66 D... もっと見る
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中国 H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能 販売のため

H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
Dram Memory Chip H5TQ4G63CFR-RDC DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96 The H5TQ4G63 is a 4,294,967,296-bit CMOS Double Data Rate III (DDR3) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density and high bandwidth. SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAMs offer fully synchro... もっと見る
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中国 ドラムのメモリー チップK4B4G1646E-BCMA 4gb Ddr3 1866mhz 512MBの記憶貯蔵 販売のため

ドラムのメモリー チップK4B4G1646E-BCMA 4gb Ddr3 1866mhz 512MBの記憶貯蔵

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ドラムのコンピュータ・チップ
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BCMA 4Gb DDR3-1866MHz,512MB Memory Chip Storage Specifications Density 4Gb Org. 512M x 8 Speed 1866 Mbps Voltage 1.5 V Temp. 0 ~ 85 °C Package 96FBGA Product Status Mass Production もっと見る
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中国 ラップトップの高速のためのドラムのメモリー チップH9CCNNN8GTMLAR-NTD 8gb Lpddr3のランダム アクセス メモリの貯蔵 販売のため

ラップトップの高速のためのドラムのメモリー チップH9CCNNN8GTMLAR-NTD 8gb Lpddr3のランダム アクセス メモリの貯蔵

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
DRAM Memory Chip H9CCNNN8GTMLAR-NTD 8Gb LPDDR3 (x32) Memory Chip Storage Specifications もっと見る
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中国 卓上コンピュータLPDDR3 BGA178の貯蔵のためのH9CCNNN8JTALAR 8Gbのランダム アクセス メモリ 販売のため

卓上コンピュータLPDDR3 BGA178の貯蔵のためのH9CCNNN8JTALAR 8Gbのランダム アクセス メモリ

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ドラムのコンピュータ・チップ, ランダム アクセス メモリIC
DRAM Memory Chip H9CCNNN8JTALAR 8Gb LPDDR3 BGA178 Memory Chip Storage​ H9CCNNN8JTALAR Features: [ FBGA ] Operation Temperature - -30'C ~ 105'C Packcage - 178-ball FBGA - 11.0x11.5mm2, 1.00t, 0.65mm pitch - Lead & Halogen Free [ LPDDR3 ] VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.2V (1.... もっと見る
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中国 H9HCNNN4KMMLHR 4Gbのドラムのメモリー チップ、LPDDR4 BGA200コンピュータRam破片の貯蔵 販売のため

H9HCNNN4KMMLHR 4Gbのドラムのメモリー チップ、LPDDR4 BGA200コンピュータRam破片の貯蔵

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ドラムのコンピュータ・チップ
DRAM Memory Chip DRAM Memory Chip H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 Memory Chip Storage Features: VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) · VDD2 and VDDCA = 1.1V (1.06V to 1.17V) · VDDQ = 0.6V (0.57V to 0.65V) · VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Single data rate architecture for command and ad... もっと見る
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中国 GDDR6内部メモリのRamのサムスン8Gの記憶Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA 販売のため

GDDR6内部メモリのRamのサムスン8Gの記憶Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA

価格: Negociation
MOQ: 10PCS
納期: 3-5days
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
GDDR6 SAMSUNG 8G 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA-Memory Storage GDDR6 supports the widest range of applications, from accelerators for high-performance computing, to workstations, consoles and laptops, offering an exceptional combination of power, bandwidth and density in the industry. Specification: D... もっと見る
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中国 ドラムのメモリー チップMT53B384M64D4NK-062の重量A SDRAM Lpddr4 24Gb （384M x 64） 1600MHz 販売のため

ドラムのメモリー チップMT53B384M64D4NK-062の重量A SDRAM Lpddr4 24Gb （384M x 64） 1600MHz

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
Dram Memory Chip MT53B384M64D4NK-062 WT:A SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (384M x 64) 1600MHz PCN Obsolescence/ EOL Mult Dev EOL 2/May/2016 Product Attributes Select All Categories Integrated Circuits (ICs) Memory Manufacturer Micron Technology Inc. Series - Packaging Tape & Reel (TR) Part ... もっと見る
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中国 K4G41325FC-HC03ドラムのメモリー チップGDDR5 SGRAM 4Gビット128M x 32 1.5V 170 Pin FBGA 販売のため

K4G41325FC-HC03ドラムのメモリー チップGDDR5 SGRAM 4Gビット128M x 32 1.5V 170 Pin FBGA

価格: Negotiation
MOQ: 1 piece
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM、ランダム アクセス メモリIC
DRAM Memory Chip K4G41325FC-HC03 ,GDDR5 SGRAM 4G-Bit 128M x 32 1.5V 170-Pin FBGA Performance Parameters: Data Bus Width: 32bit Density: 4GB Mounting : Surface Mount Number of Banks: 16 Number of Bits per Word: 32bit Number of I/O Lines: 32bit Operating Supply Voltage:1.5V Organization: 128Mx32 Pin C... もっと見る
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中国 ドラムのメモリー チップK4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M x 16 1.5V 96 Pin FBGA 1600のMbps 販売のため

ドラムのメモリー チップK4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M x 16 1.5V 96 Pin FBGA 1600のMbps

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin FBGA It was developed in 2005, Samsung’s industry-first DDR3 is the most used system solution, from PCs and home appliances, to automotive and medical devices. Specifications Density 4Gb Org. 512M x 8 Speed 1600 Mbps Voltage 1.... もっと見る
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中国 ドラムのメモリー チップ、K3RG3G30MM-MGCH 3gb Lpddr3のメモリー チップの貯蔵 販売のため

ドラムのメモリー チップ、K3RG3G30MM-MGCH 3gb Lpddr3のメモリー チップの貯蔵

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM、ドラムのコンピュータ・チップ
DRAM Memory Chip K3RG3G30MM-MGCH 3GB LPDDR Memory Chip Feature: Lifecyle :Active EU RoHS :Unknown EU RoHS Version:2002/95/EC Description: M-DIE LOW POWER DDR4 DRAM 24GB DENSITY Taxonomy Memory > Memory Chips > DRAM Chip Introduction Date:2016-01-19 00:00:00 ECCN:EAR99 Supplier Cage Code:1542F ... もっと見る
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中国 HY5PS12821CFP-C4-Cのドラムのメモリー チップ512Mb DDR2 SDRAM 販売のため

HY5PS12821CFP-C4-Cのドラムのメモリー チップ512Mb DDR2 SDRAM

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ドラムのコンピュータ・チップ, ランダム アクセス メモリIC
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中国 H9HCNNNBUUMLHRのドラムのメモリー チップ、パーソナル コンピュータLPDDR4 BGA200のための16gb記憶Ram 販売のため

H9HCNNNBUUMLHRのドラムのメモリー チップ、パーソナル コンピュータLPDDR4 BGA200のための16gb記憶Ram

価格: Negotiation
MOQ: 1 package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ランダム アクセス メモリIC
DRAM Memory Chip DRAM Memory Chip H9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200 Memory Chip Storage Specifications H9HCNNNBUUMLHR Features · VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) · VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.1V (1.06 to 1.17) · VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Single data rate architecture for command a... もっと見る
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中国 外的な4gbランダム アクセス メモリEDW4032BABG-70-F-D （128ワードX 32bits） GDDR5 SGARM 販売のため

外的な4gbランダム アクセス メモリEDW4032BABG-70-F-D （128ワードX 32bits） GDDR5 SGARM

価格: Negotiation
MOQ: 1package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ドラムのコンピュータ・チップ、ランダム アクセス メモリIC
Dram Memory Chip EDW4032BABG-70-F-D (128 Words X 32bits ) 4G bits GDDR5 SGARM SGRAM - GDDR5 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 1.75GHz 170-FBGA (12x14) Basic Description: Item Number EDW4032BABG-70-F-D MFG MICRON Packaging TRAY PACKAGE Product Attributes Categories Integrated Circuits (ICs) Memory E... もっと見る
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中国 EDS2516ADTA-75-Eのコンピュータ・メモリは（16MはX 16bitsをワード） 256MビットDDR SDRAMを欠きます 販売のため

EDS2516ADTA-75-Eのコンピュータ・メモリは（16MはX 16bitsをワード） 256MビットDDR SDRAMを欠きます

価格: Negotiation
MOQ: 1package
納期: 3-5 work days
ハイライト:ダイナミックRAM, ドラムのコンピュータ・チップ
DRAM Memory Chip EDS2516ADTA-75-E (16M words X 16bits) 256M bits DDR SDRAM Feature: もっと見る
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