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RF パワー トランジスタ

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中国 固体材料3GHz 120Wへの高速RF力トランジスター広いバンドDC 販売のため

固体材料3GHz 120Wへの高速RF力トランジスター広いバンドDC

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:high frequency power transistor, rf power amplifier transistor
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中国 4GHz 60W RF力トランジスター ガリウム窒化物28Vのワイドバンドの高い発電のGaNのトランジスターへのDC 販売のため

4GHz 60W RF力トランジスター ガリウム窒化物28Vのワイドバンドの高い発電のGaNのトランジスターへのDC

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:high frequency power transistor, rf power amplifier transistor, 60W RF Power Transistor
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中国 6GHz 25Wガリウム窒化物への耐久RF力トランジスター広いバンドDC 28ボルト 販売のため

6GHz 25Wガリウム窒化物への耐久RF力トランジスター広いバンドDC 28ボルト

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:high power rf transistor, high frequency power transistor, RF Power Transistor Wide Band
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中国 広いバンド700-3600MHz 20W RF力トランジスターLDMOS FETs 28V広帯域LDMOS RFのトランジスター、高い発電RFのトランジスター 販売のため

広いバンド700-3600MHz 20W RF力トランジスターLDMOS FETs 28V広帯域LDMOS RFのトランジスター、高い発電RFのトランジスター

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:high power rf transistor, rf power amplifier transistor, Wide Band RF Power Transistor
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中国 2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF 販売のため

2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:high power rf transistor, high frequency power transistor
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中国 統合されたESDの保護の700-1000MHz LDMOSのFETs RFの高い発電のトランジスター28V 260W 販売のため

統合されたESDの保護の700-1000MHz LDMOSのFETs RFの高い発電のトランジスター28V 260W

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:高い発電 RF のトランジスター, 高周波力トランジスター
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中国 ISOの承認6000MHzへの高周波力トランジスター広いバンド700 15ワット 販売のため

ISOの承認6000MHzへの高周波力トランジスター広いバンド700 15ワット

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:high power rf transistor, rf power amplifier transistor
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中国 8GHz 6W Rfのトランジスター アンプ ガリウム窒化物28Vの元の新しい状態へのDC 販売のため

8GHz 6W Rfのトランジスター アンプ ガリウム窒化物28Vの元の新しい状態へのDC

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:高い発電 RF のトランジスター, rfの電力増幅器のトランジスター
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中国 5000MHz 25Wの長い寿命へのガリウム窒化物28V RF力トランジスター広いバンド700 販売のため

5000MHz 25Wの長い寿命へのガリウム窒化物28V RF力トランジスター広いバンド700

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:high frequency power transistor, rf power amplifier transistor
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中国 迎合的な1GHz 55W RF力トランジスターLDMOS FET 28V RoHsへの広いバンドHF 販売のため

迎合的な1GHz 55W RF力トランジスターLDMOS FET 28V RoHsへの広いバンドHF

価格: Negotiable
MOQ: 1pcs
納期: 5-8 working days
ブランド: VBE
ハイライト:high power rf transistor, rf power amplifier transistor
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